AS7C3513B-12JCNTR

AS7C3513B-12JCNTR – Hochleistungsfähiges asynchrones 512-Kbit-SRAM

Der AS7C3513B-12JCNTR von Alliance Memory ist ein asynchroner Hochgeschwindigkeits-SRAM mit 512 kbit, der speziell für anspruchsvolle Embedded-Anwendungen entwickelt wurde, die einen schnellen und zuverlässigen parallelen Speicherzugriff erfordern. Mit einer Zugriffszeit von 12 ns und einer Speicherorganisation von 32K x 16 bietet dieser oberflächenmontierbare SRAM herausragende Leistung für industrielle Steuerungssysteme, Telekommunikationsgeräte und Datenpufferungsanwendungen.

Hauptmerkmale:

• Schnelle Zugriffszeit von 12 ns – Gewährleistet schnellen Datenabruf für zeitkritische Vorgänge
• 512 Kbit Kapazität (32K x 16) – Optimale Speicherdichte für eingebettete Systeme
• Niederspannungsbetrieb (3 V – 3,6 V) – Energieeffizientes Design reduziert den Stromverbrauch
• Breiter Betriebstemperaturbereich (0 °C bis 70 °C) – Zuverlässige Leistung über den gesamten handelsüblichen Temperaturbereich
• 44-SOJ Oberflächenmontagegehäuse – Platzsparendes Design für kompakte Leiterplattenlayouts
• Parallele Schnittstelle – Einfache Integration mit Mikrocontrollern und Prozessoren

Anwendungsbereiche:

Dieser SRAM eignet sich ideal für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der industriellen Automatisierung, der Telekommunikationsinfrastruktur und der Medizintechnik, wo ein schneller Datenzugriff und eine langfristige Produktverfügbarkeit von entscheidender Bedeutung sind.

Vollständige technische Spezifikationen:

• AS7C3513B-12JCNTR.pdf