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Alliance Memory, Inc.

AS7C3513B-20TCN

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AS7C3513B-20TCN Hochgeschwindigkeits-Asynchron-SRAM

Der AS7C3513B-20TCN von Alliance Memory ist ein leistungsstarker, asynchroner 512-Kbit-SRAM, der speziell für Anwendungen mit hohen Anforderungen an schnelle Zugriffszeiten und zuverlässige Datenspeicherung entwickelt wurde. Mit einer 32K x 16-Speicherorganisation und einer extrem schnellen Zugriffszeit von 20 ns bietet dieser SRAM herausragende Leistung für Industrie-, Automobil-, Medizin- und Telekommunikationssysteme.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Ultraschneller Zugriff: Die Zugriffszeit von 20 ns gewährleistet einen schnellen Datenabruf für zeitkritische Anwendungen.
  • Flexible Speicherorganisation: 32K x 16 parallele Schnittstelle für effiziente Datenverarbeitung
  • Breiter Betriebsspannungsbereich: 3 V bis 3,6 V Versorgungsspannung für Kompatibilität mit modernen Niedrigstrom-Designs
  • Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von 0 °C bis 70 °C (TA)
  • Platzsparendes Gehäuse: 44-TSOP2-Oberflächenmontagegehäuse (0,400", 10,16 mm Breite)
  • RoHS-konform: Umweltfreundlich, erfüllt globale Konformitätsstandards.
  • Langfristiger Support: Unterstützt durch Alliance Memorys Engagement für langfristige Produktverfügbarkeit

Ideale Anwendungsbereiche

Dieses hochzuverlässige SRAM eignet sich perfekt für die Bereiche Luft- und Raumfahrt, Fahrzeugsteuerungssysteme, industrielle Automatisierung, medizinische Geräte, Netzwerkgeräte und Telekommunikationsinfrastruktur, wo Datenintegrität und Geschwindigkeit von größter Bedeutung sind.

Vollständige technische Spezifikationen

Warum Alliance Memory wählen? Alliance Memory ist spezialisiert auf hochzuverlässige Speicherlösungen mit verlängerten Lebenszyklen und ist damit die vertrauenswürdige Wahl für unternehmenskritische Anwendungen in den Bereichen Luft- und Raumfahrt, Industrie, Automobil, Medizin und Telekommunikation.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung Tablett |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM - Asynchron
Speichergröße 512 Kbit
Speicherorganisation 32K x 16
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20 ns
Zugriffszeit 20 ns
Spannungsversorgung 3 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur 0 °C ~ 70 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 44-TSOP2
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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