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Alliance Memory, Inc.

AS7C4096A-20TCN

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AS7C4096A-20TCN – Hochleistungsfähiges 4-Mbit-Asynchron-SRAM

Der AS7C4096A-20TCN von Alliance Memory ist ein asynchroner 4-Mbit-Hochgeschwindigkeits-SRAM, der für anspruchsvolle Embedded-Anwendungen mit Bedarf an schnellem und zuverlässigem parallelem Speicherzugriff entwickelt wurde. Mit einer 512K x 8-Organisation und einer extrem schnellen Zugriffszeit von 20 ns bietet dieser Speicher-IC herausragende Leistung für industrielle Steuerungssysteme, Telekommunikationsgeräte, Netzwerkgeräte und Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Ultraschneller Zugriff: Eine Zugriffszeit von 20 ns gewährleistet minimale Latenzzeiten für zeitkritische Vorgänge.
  • Flexible Organisation: 512K x 8-Konfiguration, optimiert für bytebreite Datenpfade
  • Breiter Betriebsbereich: 4,5 V bis 5,5 V Versorgungsspannung bei einer Betriebstemperatur von 0 °C bis 70 °C
  • Platzsparendes Gehäuse: 44-poliges TSOP-Oberflächenmontagedesign für kompakte Leiterplattenlayouts
  • Parallele Schnittstelle: Standardmäßige asynchrone SRAM-Schnittstelle für einfache Integration
  • RoHS-konform: Umweltfreundliche, bleifreie Konstruktion

Ideale Anwendungsbereiche

Dieses SRAM eignet sich perfekt für industrielle Automatisierungssteuerungen, Netzwerkrouter und -switches, Automobilelektronik, medizinische Instrumente, Militär- und Luftfahrtsysteme sowie für Hochgeschwindigkeits-Datenpufferungsanwendungen, bei denen ein zuverlässiger, schneller Speicherzugriff von entscheidender Bedeutung ist.

Warum Alliance Memory wählen?

Alliance Memory ist spezialisiert auf langlebige Speicherlösungen mit garantierter Verfügbarkeit und vollständiger Rückverfolgbarkeit seitens des Herstellers. Jede Komponente wird mit vollständiger Dokumentation geliefert und durch den Support autorisierter Distributoren für Design-In-Unterstützung und technische Ressourcen ergänzt.

Vollständige technische Spezifikationen

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung Tablett | Tablett
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM - Asynchron
Speichergröße 4 Mbit
Speicherorganisation 512K x 8
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20 ns
Zugriffszeit 20 ns
Spannungsversorgung 4,5 V ~ 5,5 V
Betriebstemperatur 0 °C ~ 70 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 44-TSOP2
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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