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Alliance Memory, Inc.

AS7C4096A-20TINTR

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Alliance Memory AS7C4096A-20TINTR – Hochleistungsfähiges 4-Mbit-Asynchron-SRAM

Der AS7C4096A-20TINTR ist ein hochzuverlässiger 4-Mbit-SRAM (Static Random-Access Memory) von Alliance Memory, der für anspruchsvolle Anwendungen mit schnellen Zugriffszeiten und einem breiten Betriebstemperaturbereich entwickelt wurde. Mit seiner Zugriffszeit von 20 ns und der Speicherorganisation 512K x 8 bietet dieser asynchrone SRAM herausragende Leistung für Anwendungen in Industrie, Automobilbranche, Telekommunikation und Luft- und Raumfahrt.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Ultraschneller Zugriff: Eine Zugriffszeit von 20 ns gewährleistet den schnellen Datenabruf für zeitkritische Anwendungen.
  • Flexible Speicherorganisation: Die 512K x 8-Konfiguration bietet eine optimale Datenstruktur für eingebettete Systeme.
  • Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C – Betrieb gewährleistet Zuverlässigkeit auch unter rauen Umgebungsbedingungen
  • Standard-Betriebsspannung: 4,5 V bis 5,5 V Versorgungsspannung für einfache Integration
  • Oberflächenmontage-Design: 44-TSOP-Gehäuse, optimiert für automatisierte Montage und platzsparende Designs
  • RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Standards

Ideale Anwendungsbereiche

Dieses SRAM eignet sich perfekt für Netzwerkgeräte, industrielle Steuerungen, Automobilelektronik, medizinische Geräte und alle Anwendungen, die eine schnelle, nichtflüchtige Datenpufferung mit erweitertem Temperaturbetrieb erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen

Warum Alliance Memory wählen?

Alliance Memory ist spezialisiert auf hochzuverlässige Halbleiterkomponenten mit langer Lebensdauer und umfassender Rückverfolgbarkeit. Jede Komponente wird durch technische Dokumentation und Design-In-Ressourcen unterstützt, um eine erfolgreiche Integration in Ihre Projekte zu gewährleisten.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR)
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM - Asynchron
Speichergröße 4 Mbit
Speicherorganisation 512K x 8
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20 ns
Zugriffszeit 20 ns
Spannungsversorgung 4,5 V ~ 5,5 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 44-TSOP2
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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