AS7CW2M16-10BINTR

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AS7CW2M16-10BINTR – Hochleistungsfähiges 32-Mbit-Asynchron-SRAM

Der Alliance Memory AS7CW2M16-10BINTR ist ein asynchroner Hochgeschwindigkeits-SRAM mit 32 Mbit (2M x 16), der für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde, die schnelle Zugriffszeiten und zuverlässige Leistung über industrielle Temperaturbereiche hinweg erfordern.

Hauptmerkmale:

Ultraschnelle Zugriffszeit von 10 ns für zeitkritische Anwendungen
32 Mbit Speicherkapazität mit 2M x 16 Organisation
Betrieb mit zwei Spannungen: 1,65 V–2,2 V und 2,3 V–3,6 V für flexible Systemintegration
Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C (TA) für raue Umgebungen
Kompaktes 48-TFBGA (6x8) SMD-Gehäuse für platzsparende Designs
Parallele Schnittstelle für unkomplizierte Integration
RoHS-konform für Umweltstandards

Ideale Anwendungsbereiche:

Ideal für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, industriellen Steuerungssystemen, Telekommunikationsgeräten und im Hochleistungsrechnen, die einen schnellen, zuverlässigen flüchtigen Speicher mit erweitertem Temperaturbereich erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen:

Produkteigenschaften	Immobilienwert
Hersteller	Alliance Memory, Inc.
Produktserie
Verpackung	Tonband und Spule (TR) \| Tonband und Spule (TR)
Speichertyp	Flüchtig
Speicherformat	SRAM
Technologie	SRAM - Einzelport, asynchron
Speichergröße	32 Mbit
Speicherorganisation	2 m x 16
Speicherschnittstelle	Parallel
Taktfrequenz	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite	10 ns
Zugriffszeit	10 ns
Spannungsversorgung	1,65 V ~ 2,2 V, 2,3 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur	-40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad	-
Qualifikation	-
Montageart	Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse	48-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten	48-FBGA (6x8)
RoHS