BR25L010FVT-WE2

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BR25L010FVT-WE2 - Hochzuverlässiger 1-Kbit-SPI-EEPROM-Speicher-IC

Der BR25L010FVT-WE2 von Rohm Semiconductor ist ein leistungsstarker 1-Kbit-EEPROM-Speicherchip für die zuverlässige, nichtflüchtige Datenspeicherung in industriellen und Unterhaltungselektronikanwendungen. Dieses kompakte 8-TSSOP-SMD-Bauteil ist SPI-kompatibel, arbeitet mit einem breiten Spannungsbereich (1,8 V bis 5,5 V) und bietet eine ausgezeichnete Temperaturstabilität von -40 °C bis 85 °C.

Hauptmerkmale und Vorteile

1 Kbit Speicherkapazität – 128 x 8 Bit Organisation für flexible Datenspeicherung
SPI-Schnittstelle – Schnelle 5-MHz-Taktfrequenz für schnelle Lese-/Schreibvorgänge
Breiter Spannungsbereich – Betrieb von 1,8 V bis 5,5 V für vielseitige Systemintegration
Industrieller Temperaturbereich – Zuverlässige Leistung von -40 °C bis 85 °C
Kompaktes 8-TSSOP-Gehäuse – Platzsparendes Oberflächenmontage-Design (4,40 mm Breite)
Geringer Stromverbrauch – ideal für batteriebetriebene und tragbare Geräte
RoHS-konform – Umweltfreundliche Fertigung

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Der BR25L010FVT-WE2 EEPROM ist ideal für:

Speicherung von Konfigurationsdaten in eingebetteten Systemen
Aufbewahrung von Kalibrierungsdaten in Industrieanlagen
Benutzereinstellungen und Präferenzen in der Unterhaltungselektronik
Speicherung von Seriennummern und Identifikationsmerkmalen
Datenprotokollierung in IoT-Geräten
Parameterspeicherung in der Automobilelektronik

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Produkteigenschaften	Immobilienwert
Hersteller	Rohm Semiconductor
Produktserie
Verpackung	\|
Speichertyp	Nicht flüchtig
Speicherformat	EEPROM
Technologie	EEPROM
Speichergröße	1 Kbit
Speicherorganisation	128 x 8
Speicherschnittstelle	SPI
Taktfrequenz	5 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite	5 ms
Zugriffszeit	-
Spannungsversorgung	1,8 V ~ 5,5 V
Betriebstemperatur	-40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad	-
Qualifikation	-
Montageart	Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse	8-TSSOP (0,173", 4,40 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten	8-TSSOP-B
RoHS