BR93G66FVJ-3BGTE2

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BR93G66FVJ-3BGTE2 - 4Kbit EEPROM-Speicher-IC

Der BR93G66FVJ-3BGTE2 von Rohm Semiconductor ist ein leistungsstarker, nichtflüchtiger 4-Kbit-EEPROM-Speicher-IC mit Microwire-Schnittstelle. Dieses SMD-Speicherbauteil ist für eingebettete Systeme konzipiert, die eine zuverlässige Datenspeicherung bei geringem Stromverbrauch und einem breiten Betriebsspannungsbereich erfordern.

Hauptmerkmale und Vorteile

4 Kbit Speicherkapazität – organisiert als 256 x 16 Bit für flexible Datenspeicherung
Microwire-Serielle Schnittstelle – Einfaches 3-Draht-Kommunikationsprotokoll für einfache Integration
Breiter Spannungsbereich – Betrieb von 1,7 V bis 5,5 V für vielseitige Netzteilkompatibilität
Hohe Taktfrequenz – 3 MHz maximale Taktfrequenz für effiziente Datenübertragung
Industrieller Temperaturbereich – Ausgelegt für den Betrieb bei Umgebungstemperaturen von -40 °C bis 85 °C
Kompaktes Gehäuse – 8-TSSOP-Oberflächenmontagedesign spart Platz auf der Platine
RoHS-konform – Umweltfreundliche Fertigung

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Der EEPROM BR93G66FVJ-3BGTE2 eignet sich ideal für Anwendungen, die die nichtflüchtige Speicherung von Parametern, Konfigurationsdaten, Kalibrierungswerten und Benutzereinstellungen in eingebetteten Systemen erfordern. Typische Anwendungsfälle sind industrielle Steuerungen, Unterhaltungselektronik, Automobilsysteme und IoT-Geräte.

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Produkteigenschaften	Immobilienwert
Hersteller	Rohm Semiconductor
Produktserie
Verpackung	\|
Speichertyp	Nicht flüchtig
Speicherformat	EEPROM
Technologie	EEPROM
Speichergröße	4Kbit
Speicherorganisation	256 x 16
Speicherschnittstelle	Mikrodraht
Taktfrequenz	3 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite	5 ms
Zugriffszeit	-
Spannungsversorgung	1,7 V ~ 5,5 V
Betriebstemperatur	-40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad	-
Qualifikation	-
Montageart	Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse	8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", 3,00 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten	8-TSSOP-BJ
RoHS