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BYTe Semiconductor

BY25D40ESSIG(R)

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BY25D40ESSIG(R) - 4-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher-IC

Der BY25D40ESSIG® von BYTe Semiconductor ist ein leistungsstarker 4-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher-IC, der für eingebettete Systeme mit Bedarf an zuverlässigem, nichtflüchtigem Speicher entwickelt wurde. Mit einer Dual-I/O-SPI-Schnittstelle, die Taktfrequenzen bis zu 120 MHz unterstützt, bietet dieses Speicherbaustein schnelle Lesezugriffszeiten von nur 7 ns und eignet sich daher ideal für Code-Speicherung und Datenprotokollierung in Industrie-, Automobil- und Telekommunikationssystemen.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • 4 Mbit (512 KB x 8) Speicherkapazität – Ausreichend Speicherplatz für Firmware, Konfigurationsdaten und Systemparameter
  • SPI-Dual-I/O-Schnittstelle mit 120 MHz – Hochgeschwindigkeits-Seriellkommunikation mit reduzierter Pin-Anzahl
  • Breiter Spannungsbereich (2,7 V bis 3,6 V) – Kompatibel mit 3,3-V- und Niederspannungssystemen
  • Industrieller Temperaturbereich (-40 °C bis 85 °C) – Zuverlässiger Betrieb unter rauen Umgebungsbedingungen
  • Oberflächenmontierbares 8-SOIC-Gehäuse – Platzsparendes Design für kompakte Leiterplattenlayouts
  • Schnelle Zugriffszeit von 7 ns – Schneller Datenabruf für zeitkritische Anwendungen

Anwendungen

Dieser NOR-Flash-Speicher eignet sich hervorragend für die Avionik in der Luft- und Raumfahrt, Steuergeräte in Kraftfahrzeugen, industrielle Steuerungen, Telekommunikationsgeräte, medizinische Geräte und alle eingebetteten Systeme, die eine zuverlässige Code-Speicherung mit langer Lebensdauer erfordern.

Autorisierter Händler – Vollständige Rückverfolgbarkeit

Wir liefern Originalkomponenten von BYTe Semiconductor mit vollständiger Herstellerdokumentation, Rückverfolgbarkeitszertifikaten und Garantieleistungen. Alle Geräte werden direkt vom autorisierten Distributor versandt und sind fälschungssicher.

Technische Spezifikationen

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller BYTE Semiconductor
Produktserie
Verpackung Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR)
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie Blitz - NOR
Speichergröße 4 Mbit
Speicherorganisation 512K x 8
Speicherschnittstelle SPI - Dual I/O
Taktfrequenz 120 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 3,6 ms
Zugriffszeit 7 ns
Spannungsversorgung 2,7 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 8-SOP

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