BY25D40ESSIG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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BY25D40ESSIG(R) - 4-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher-IC
Der BY25D40ESSIG® von BYTe Semiconductor ist ein leistungsstarker 4-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher-IC, der für eingebettete Systeme mit Bedarf an zuverlässigem, nichtflüchtigem Speicher entwickelt wurde. Mit einer Dual-I/O-SPI-Schnittstelle, die Taktfrequenzen bis zu 120 MHz unterstützt, bietet dieses Speicherbaustein schnelle Lesezugriffszeiten von nur 7 ns und eignet sich daher ideal für Code-Speicherung und Datenprotokollierung in Industrie-, Automobil- und Telekommunikationssystemen.
Hauptmerkmale und Vorteile
- 4 Mbit (512 KB x 8) Speicherkapazität – Ausreichend Speicherplatz für Firmware, Konfigurationsdaten und Systemparameter
- SPI-Dual-I/O-Schnittstelle mit 120 MHz – Hochgeschwindigkeits-Seriellkommunikation mit reduzierter Pin-Anzahl
- Breiter Spannungsbereich (2,7 V bis 3,6 V) – Kompatibel mit 3,3-V- und Niederspannungssystemen
- Industrieller Temperaturbereich (-40 °C bis 85 °C) – Zuverlässiger Betrieb unter rauen Umgebungsbedingungen
- Oberflächenmontierbares 8-SOIC-Gehäuse – Platzsparendes Design für kompakte Leiterplattenlayouts
- Schnelle Zugriffszeit von 7 ns – Schneller Datenabruf für zeitkritische Anwendungen
Anwendungen
Dieser NOR-Flash-Speicher eignet sich hervorragend für die Avionik in der Luft- und Raumfahrt, Steuergeräte in Kraftfahrzeugen, industrielle Steuerungen, Telekommunikationsgeräte, medizinische Geräte und alle eingebetteten Systeme, die eine zuverlässige Code-Speicherung mit langer Lebensdauer erfordern.
Autorisierter Händler – Vollständige Rückverfolgbarkeit
Wir liefern Originalkomponenten von BYTe Semiconductor mit vollständiger Herstellerdokumentation, Rückverfolgbarkeitszertifikaten und Garantieleistungen. Alle Geräte werden direkt vom autorisierten Distributor versandt und sind fälschungssicher.
Technische Spezifikationen
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | BYTE Semiconductor |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | Blitz - NOR |
| Speichergröße | 4 Mbit |
| Speicherorganisation | 512K x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI - Dual I/O |
| Taktfrequenz | 120 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 3,6 ms |
| Zugriffszeit | 7 ns |
| Spannungsversorgung | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite) |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-SOP |

BY25D40ESSIG(R).pdf