-
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
BY25D40ESSIG(T)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
Verfügbarkeit für Abholungen konnte nicht geladen werden
BY25D40ESSIG(T) - 4-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher-IC
Der BY25D40ESSIG(T) von BYTe Semiconductor ist ein leistungsstarker 4-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher-IC, der für eingebettete Systeme mit Bedarf an zuverlässiger, nichtflüchtiger Datenspeicherung entwickelt wurde. Mit einer Dual-I/O-SPI-Schnittstelle, die Taktfrequenzen bis zu 120 MHz und einen Betriebsspannungsbereich von 2,7 V bis 3,6 V unterstützt, bietet dieses Bauteil schnelle Zugriffszeiten (7 ns) und einen effizienten Stromverbrauch für Anwendungen in Industrie, Automobilindustrie und Telekommunikation.
Hauptmerkmale:
- Speicherkapazität: 4 Mbit (512K x 8 Organisation)
- Schnittstelle: Dual-SPI-I/O für Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung
- Taktfrequenz: Bis zu 120 MHz
- Betriebsspannung: 2,7 V bis 3,6 V
- Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C (Industriequalität)
- Gehäuse: 8-SOIC-Oberflächenmontage (5,30 mm Breite)
- Schneller Zugriff: 7 ns Zugriffszeit, 3,6 ms Schreibzyklus
Anwendungsbereiche:
Ideal für BIOS-Speicherung, Firmware-Updates, Konfigurationsdaten, Bootcode und eingebettete Systemanwendungen, die zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher mit langer Lebensdauer erfordern.
Vorteile des autorisierten Vertriebspartners:
Wir bieten Ihnen 100% authentische BYTe Semiconductor-Komponenten mit vollständiger Herstellerdokumentation, Rückverfolgbarkeitszertifikaten und langer Verfügbarkeitsdauer, um Ihre Design-In-Programme zu unterstützen und das Risiko der Veralterung zu minimieren.
Technische Spezifikationen:
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | BYTe Semiconductor |
| Produktserie | |
| Verpackung | Röhre | Röhre |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | Blitz - NOR |
| Speichergröße | 4 Mbit |
| Speicherorganisation | 512K x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI - Dual I/O |
| Taktfrequenz | 120 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 3,6 ms |
| Zugriffszeit | 7 ns |
| Spannungsversorgung | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite) |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-SOP |
| RoHS |  |
BY25D40ESSIG(T).pdf