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BYTe Semiconductor

BY25D40ESUIG(R)

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BY25D40ESUIG(R) - 4-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher-IC

Der BY25D40ESUIG(R) von BYTe Semiconductor ist ein leistungsstarker 4-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher-IC, der für eingebettete Systeme mit Bedarf an zuverlässiger, nichtflüchtiger Datenspeicherung entwickelt wurde. Mit einer Dual-I/O-SPI-Schnittstelle, die Taktfrequenzen bis zu 120 MHz unterstützt, und einem industriellen Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C eignet sich diese Komponente ideal für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der industriellen Steuerungstechnik und der Telekommunikation.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • 4 Mbit (512 KB x 8) Speicherkapazität – Ausreichend Speicherplatz für Firmware, Konfigurationsdaten und Bootcode
  • Duale SPI-I/O-Schnittstelle mit 120 MHz – Schnelle Lese-/Schreibleistung mit branchenüblicher serieller Peripherieschnittstelle
  • Breiter Spannungsbereich (2,7 V bis 3,6 V) – Kompatibel mit 3,3-V- und Niederspannungssystemen
  • Industrieller Temperaturbereich (-40 °C bis 85 °C) – Zuverlässiger Betrieb unter rauen Umgebungsbedingungen
  • Kompaktes 8-USON-Gehäuse (2 x 3 mm) – Platzsparendes SMD-Design mit freiliegender Kontaktfläche für optimale Wärmeableitung
  • Schnelle Zugriffszeit (7 ns) – Minimale Latenz für zeitkritische Anwendungen
  • 3,6 ms Seitenschreibzyklus – Effiziente Programmierleistung

Anwendungen

Dieser NOR-Flash-Speicher eignet sich gut für:

  • Eingebetteter Firmware-Speicher und Bootcode
  • FPGA-Konfigurationsspeicher
  • Datenprotokollierung und Parameterspeicherung
  • Fahrzeug-Steuergeräte und ADAS-Systeme
  • Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
  • Telekommunikationsausrüstung
  • IoT- und Edge-Computing-Geräte

Autorisierter Händler – Vollständige Rückverfolgbarkeit

Wir liefern Originalkomponenten von BYTe Semiconductor mit vollständiger Herstellerdokumentation, Konformitätszertifikaten und lückenloser Rückverfolgbarkeit der Lieferkette. Alle Bauteile stammen aus autorisierten Quellen, um Authentizität und langfristige Verfügbarkeit für Ihre kritischen Designs zu gewährleisten.

Technische Spezifikationen

Designunterstützung & Ressourcen

Unser technisches Team stellt Ihnen Referenzdesigns, Applikationshinweise und Unterstützung bei der Integration des BY25D40ESUIG® in Ihr System zur Verfügung. Kontaktieren Sie uns für Informationen zu Mengenrabatten, Lieferzeiten und Verfügbarkeit über den gesamten Produktlebenszyklus.

Hinweis: Alle Spezifikationen unterliegen den Angaben im Herstellerdatenblatt. Die vollständigen elektrischen Eigenschaften und Betriebsbedingungen entnehmen Sie bitte der offiziellen Dokumentation von BYTe Semiconductor.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller BYTE Semiconductor
Produktserie
Verpackung Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR)
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie Blitz - NOR
Speichergröße 4 Mbit
Speicherorganisation 512K x 8
Speicherschnittstelle SPI - Dual I/O
Taktfrequenz 120 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 3,6 ms
Zugriffszeit 7 ns
Spannungsversorgung 2,7 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-UFDFN Freiliegendes Pad
Gerätepaket des Lieferanten 8-USON (2x3)

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