BY25FQ128ELFIG(R)

BY25FQ128ELFIG(R) - 128-Mbit-NOR-Flash-Speicher-IC

Die authentische BYTe Semiconductor BY25FQ128ELFIG® NOR-Flash-Speicherlösung mit hoher Speicherdichte wurde für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation entwickelt. Dieses 128-Mbit-Baustein verfügt über fortschrittliche SPI-Quad-I/O- und QPI-Schnittstellen und bietet zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher mit vollständiger Herstellerdokumentation und Rückverfolgbarkeit.

Hauptmerkmale

• Hochdichte Speicherung: 128 Mbit (16 M x 8) NOR-Flash-Architektur
• Hohe Leistungsfähigkeit: 133 MHz Taktfrequenz mit 6 ns Zugriffszeit
• Erweiterte Schnittstelle: SPI Quad I/O und QPI-Unterstützung für Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung
• Betrieb mit geringer Leistungsaufnahme: Versorgungsspannungsbereich 1,65 V bis 2 V
• Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C (TA) für raue Umgebungen
• Zuverlässige Schreibleistung: 120 µs Wortschreibzeit, 2,5 ms Seitenschreibzykluszeit
• Professionelle Verpackung: 16-SOIC-Oberflächenmontage, Gurtverpackung für automatisierte Bestückung
• RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung

Anwendungen

Ideal für eingebettete Systeme, die in unternehmenskritischen Anwendungen zuverlässige Code-Speicherung, Firmware-Updates, Datenprotokollierung und Konfigurationsspeicherung erfordern. Geeignet für die Luft- und Raumfahrt-Avionik, Steuergeräte in der Automobilindustrie, industrielle Steuerungen und Telekommunikationsinfrastruktur.

Qualitätssicherung

Alle Einheiten stammen von autorisierten Händlern und verfügen über vollständige Herstellerdokumentation, wodurch Authentizität und langfristige Verfügbarkeit für Ihre Designanforderungen gewährleistet werden.

Vollständige technische Spezifikationen

• BY25FQ128ELFIG(R).pdf