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BYTe Semiconductor

BY25FQ128ELWIG(R)

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BY25FQ128ELWIG(R) - Hochleistungsfähiger 128-Mbit-NOR-Flash-Speicher

Der BY25FQ128ELWIG(R) ist ein hochdichter, spannungsarmer NOR-Flash-Speicher-IC von BYTe Semiconductor, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation entwickelt wurde. Dieses 128-Mbit-Baustein verfügt über eine Quad-SPI-Schnittstelle mit QPI-Unterstützung und bietet eine herausragende Leseleistung bei einer Taktfrequenz von 133 MHz.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hochdichter Speicher: 128 Mbit (16 M x 8) organisierter Speicher für umfassende Datenspeicherung
  • Ultraschnelle Leistung: 133 MHz Taktfrequenz mit 6 ns Zugriffszeit für schnellen Datenabruf
  • Erweiterte Schnittstelle: SPI Quad I/O- und QPI-Unterstützung für maximalen Durchsatz
  • Niederspannungsbetrieb: Der Versorgungsspannungsbereich von 1,65 V bis 2 V optimiert die Energieeffizienz.
  • Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C – Betrieb gewährleistet Zuverlässigkeit auch unter rauen Umgebungsbedingungen
  • Kompaktes SMD-Gehäuse: 8-WSON (5x6mm) mit freiliegendem Pad für überlegene Wärmeleistung
  • RoHS-konform: Umweltverträgliche Fertigung

Anwendungen

Ideal für die Speicherung von Firmware, Bootcode, Konfigurationsdaten und eingebetteten Systemanwendungen, die einen nichtflüchtigen Speicher mit schnellem Lesezugriff und langfristiger Datenspeicherung erfordern.

Warum sollten Sie sich für unsere Aktien entscheiden?

Wir liefern Originalkomponenten von BYTe Semiconductor mit vollständiger Herstellerdokumentation, Rückverfolgbarkeit und langfristiger Produktlebenszyklusgarantie. Jede Komponente wird in der Originalverpackung (Gurtverpackung) mit vollständigen Datenblättern und Konformitätszertifikaten versendet.

Vollständige technische Spezifikationen

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller BYTe Semiconductor
Produktserie
Verpackung Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR)
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie Blitz - NOR
Speichergröße 128 Mbit
Speicherorganisation 16 m x 8
Speicherschnittstelle SPI – Quad I/O, QPI
Taktfrequenz 133 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 120µs, 2,5ms
Zugriffszeit 6 ns
Spannungsversorgung 1,65 V ~ 2 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Freiliegendes Pad
Gerätepaket des Lieferanten 8-WSON (5x6)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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