BY25FQ128ELWIG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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BY25FQ128ELWIG(R) - Hochleistungsfähiger 128-Mbit-NOR-Flash-Speicher
Der BY25FQ128ELWIG(R) ist ein hochdichter, spannungsarmer NOR-Flash-Speicher-IC von BYTe Semiconductor, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation entwickelt wurde. Dieses 128-Mbit-Baustein verfügt über eine Quad-SPI-Schnittstelle mit QPI-Unterstützung und bietet eine herausragende Leseleistung bei einer Taktfrequenz von 133 MHz.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hochdichter Speicher: 128 Mbit (16 M x 8) organisierter Speicher für umfassende Datenspeicherung
- Ultraschnelle Leistung: 133 MHz Taktfrequenz mit 6 ns Zugriffszeit für schnellen Datenabruf
- Erweiterte Schnittstelle: SPI Quad I/O- und QPI-Unterstützung für maximalen Durchsatz
- Niederspannungsbetrieb: Der Versorgungsspannungsbereich von 1,65 V bis 2 V optimiert die Energieeffizienz.
- Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C – Betrieb gewährleistet Zuverlässigkeit auch unter rauen Umgebungsbedingungen
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 8-WSON (5x6mm) mit freiliegendem Pad für überlegene Wärmeleistung
- RoHS-konform: Umweltverträgliche Fertigung
Anwendungen
Ideal für die Speicherung von Firmware, Bootcode, Konfigurationsdaten und eingebetteten Systemanwendungen, die einen nichtflüchtigen Speicher mit schnellem Lesezugriff und langfristiger Datenspeicherung erfordern.
Warum sollten Sie sich für unsere Aktien entscheiden?
Wir liefern Originalkomponenten von BYTe Semiconductor mit vollständiger Herstellerdokumentation, Rückverfolgbarkeit und langfristiger Produktlebenszyklusgarantie. Jede Komponente wird in der Originalverpackung (Gurtverpackung) mit vollständigen Datenblättern und Konformitätszertifikaten versendet.
Vollständige technische Spezifikationen
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | BYTe Semiconductor |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | Blitz - NOR |
| Speichergröße | 128 Mbit |
| Speicherorganisation | 16 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI – Quad I/O, QPI |
| Taktfrequenz | 133 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 120µs, 2,5ms |
| Zugriffszeit | 6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,65 V ~ 2 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-WDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-WSON (5x6) |
| RoHS |

BY25FQ128ELWIG(R).pdf