-
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
BY25FQ16ESSIG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
Verfügbarkeit für Abholungen konnte nicht geladen werden
BY25FQ16ESSIG(R) - 16-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher
Der BY25FQ16ESSIG(R) von BYTe Semiconductor ist ein leistungsstarker 16-Mbit-NOR-Flash-Speicher-IC mit Quad-I/O-SPI-Schnittstelle und Unterstützung für QPI und DTR. Er wurde für industrielle Anwendungen, die Automobilindustrie und eingebettete Systeme entwickelt, die zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher mit schnellen Zugriffszeiten und einem breiten Betriebstemperaturbereich erfordern.
Hauptmerkmale:
- 16 Mbit (2 MB x 8) Speicherkapazität – Ideal für Firmware-Speicherung, Bootcode und Datenprotokollierung
- Hochgeschwindigkeits-SPI-Schnittstelle – Quad-I/O-, QPI- und DTR-Modi bis zu 133 MHz für schnelle Lese-/Schreibvorgänge
- Ultraschnelle Zugriffszeit – 5 ns Zugriffszeit gewährleisten schnellen Datenabruf
- Breiter Spannungsbereich – 2,7 V bis 3,6 V Versorgungsspannung für flexible Systemintegration
- Industrielle Temperaturklasse - Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C (TA) für raue Umgebungen
- Oberflächenmontierbares 8-SOIC-Gehäuse – Kompakte Breite von 5,30 mm für platzsparende Designs
- RoHS-konform – umweltfreundlich und gesetzeskonform
Anwendungsbereiche:
Ideal für BIOS-/Firmware-Speicherung, eingebettete Systeme, industrielle Steuerungen, Automobilelektronik, IoT-Geräte und alle Anwendungen, die zuverlässigen, schnellen, nichtflüchtigen Speicher mit langer Lebensdauer benötigen.
Vorteile des autorisierten Vertriebspartners:
Wir liefern Ihnen 100% authentische BYTe Semiconductor-Komponenten mit vollständiger Herstellerdokumentation, Rückverfolgbarkeitszertifikaten und langer Verfügbarkeit, um Ihre Produktprogramme zu unterstützen und das Risiko der Veralterung zu minimieren.
Vollständige technische Spezifikationen:
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | BYTE Semiconductor |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | Blitz - NOR |
| Speichergröße | 16 Mbit |
| Speicherorganisation | 2 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI – Quad I/O, QPI, DTR |
| Taktfrequenz | 133 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 250 µs, 2,4 ms |
| Zugriffszeit | 5 ns |
| Spannungsversorgung | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite) |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-SOP |
| RoHS |  |
BY25FQ16ESSIG(R).pdf