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BYTe Semiconductor

BY25FQ256ELEIG(R)

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BYTe BY25FQ256ELEIG(R) - Hochleistungsfähiger 256-Mbit-NOR-Flash-Speicher

Der BY25FQ256ELEIG(R) ist ein hochdichter, spannungsarmer NOR-Flash-Speicher von BYTe Semiconductor, der für anspruchsvolle Embedded-Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation entwickelt wurde. Dieses 256-Mbit-Baustein bietet herausragende Leistung mit SPI-Quad-I/O-Schnittstelle und DTR-Unterstützung und arbeitet mit Geschwindigkeiten von bis zu 166 MHz.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Speicherdichte: Die 256-Mbit-Speicherorganisation (32M x 8) bietet ausreichend Platz für Firmware, Datenprotokollierung und Anwendungscode.
  • Hohe Leistungsfähigkeit: Die Taktfrequenz von 166 MHz bei einer Zugriffszeit von 5 ns gewährleistet einen schnellen Datenabruf für zeitkritische Anwendungen.
  • Flexible Schnittstelle: SPI Quad I/O, QPI und DTR-Modi bieten vielseitige Anschlussmöglichkeiten für verschiedene Systemarchitekturen.
  • Betrieb mit niedrigem Stromverbrauch: Der Versorgungsspannungsbereich von 1,65 V bis 1,95 V optimiert die Energieeffizienz in batteriebetriebenen und energiebewussten Designs.
  • Industrieller Temperaturbereich: Der Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C gewährleistet zuverlässige Leistung auch unter rauen Umgebungsbedingungen.
  • Kompakte Bauform: Das 8-WSON (8x6mm) SMD-Gehäuse spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte.
  • RoHS-konform: Umweltfreundliches Design erfüllt globale Regulierungsstandards.

Ideale Anwendungsbereiche

Ideal für BIOS-Speicher, eingebettete Firmware, Datenprotokollierung, IoT-Geräte, Kfz-Steuergeräte, industrielle Steuerungen und Telekommunikationsgeräte, die zuverlässigen, schnellen, nichtflüchtigen Speicher mit langer Lebensdauer benötigen.

Warum sollten Sie sich für einen autorisierten Vertrieb entscheiden?

Wir liefern ausschließlich authentische BYTe Semiconductor-Komponenten mit vollständiger Herstellerdokumentation, Rückverfolgbarkeit und Garantieleistungen. Unsere Produkte stammen direkt aus autorisierten Vertriebskanälen, wodurch die Echtheit und langfristige Verfügbarkeit für Ihre kritischen Designs gewährleistet ist.

Vollständige technische Spezifikationen

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller BYTe Semiconductor
Produktserie
Verpackung Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR)
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie Blitz - NOR
Speichergröße 256 Mbit
Speicherorganisation 32 m x 8
Speicherschnittstelle SPI – Quad I/O, QPI, DTR
Taktfrequenz 166 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 400µs, 2,4ms
Zugriffszeit 5 ns
Spannungsversorgung 1,65 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Freiliegendes Pad
Gerätepaket des Lieferanten 8-WSON (8x6)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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