BY25FQ256ELSIG(R)

BYTe BY25FQ256ELSIG(R) - Hochleistungsfähiger 256-Mbit-NOR-Flash-Speicher

Der BY25FQ256ELSIG® ist ein hochdichter, spannungsarmer NOR-Flash-Speicher von BYTe Semiconductor, der speziell für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation entwickelt wurde. Dieses 256-Mbit-Baustein bietet herausragende Leistung mit Quad-I/O-SPI-Schnittstelle und DTR-Unterstützung und eignet sich daher ideal für Code-Speicherung, Datenprotokollierung und Firmware-Anwendungen, die schnellen Lesezugriff und zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher erfordern.

Hauptmerkmale und Vorteile:

• Hohe Speicherdichte: Die 256-Mbit-Speicherorganisation (32M x 8) bietet ausreichend Platz für komplexe Firmware und Datenspeicheranforderungen.
• Hohe Leistungsfähigkeit: Die Taktfrequenz von 166 MHz bei einer Zugriffszeit von 5 ns gewährleistet einen schnellen Datenabruf für zeitkritische Anwendungen.
• Erweiterte Schnittstelle: SPI Quad I/O-, QPI- und DTR-Unterstützung ermöglichen flexible Integration und Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung
• Niederspannungsbetrieb: Die Versorgungsspannung von 1,65 V bis 1,95 V optimiert die Energieeffizienz in batteriebetriebenen und energiebewussten Geräten.
• Industrieller Temperaturbereich: Der Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C gewährleistet zuverlässige Leistung auch unter rauen Umgebungsbedingungen.
• Kompaktes SMD-Gehäuse: 8-SOIC-Footprint (5,30 mm Breite) spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte.
• Produktionsfertige Verpackung: Das Gurt- und Rollenformat optimiert automatisierte Montageprozesse

Ideale Anwendungsbereiche:

Ideal für eingebettete Systeme, IoT-Geräte, Kfz-Steuergeräte, industrielle Steuerungen, Netzwerkgeräte und alle Anwendungen, die einen zuverlässigen, schnellen, nichtflüchtigen Speicher mit langfristiger Verfügbarkeit erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen:

• BY25FQ256ELSIG(R).pdf