BY25FQ256ELWIG(R)

BYTe Semiconductor BY25FQ256ELWIG(R) - Hochleistungsfähiger 256-Mbit-NOR-Flash-Speicher

Der BY25FQ256ELWIG(R) ist ein hochdichter, leistungsstarker NOR-Flash-Speicher von BYTe Semiconductor, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation entwickelt wurde. Dieses 256-Mbit-Baustein verfügt über eine fortschrittliche Quad-SPI-Schnittstelle mit DTR-Unterstützung und bietet eine außergewöhnliche Leseleistung bei einer Taktfrequenz von 166 MHz.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Hochdichte Speicherung: Die 256-Mbit-Organisation (32M x 8) bietet ausreichend nichtflüchtige Speicherkapazität.
• Hohe Leistungsfähigkeit: 166 MHz Taktfrequenz mit 5 ns Zugriffszeit gewährleisten schnellen Datenabruf.
• Erweiterte Schnittstelle: SPI Quad I/O, QPI- und DTR-Modi für flexible Hochgeschwindigkeitskommunikation
• Breiter Betriebsbereich: Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C für industrietaugliche Zuverlässigkeit
• Niederspannungsbetrieb: Eine Versorgungsspannung von 1,65 V bis 1,95 V optimiert die Energieeffizienz.
• Kompakte Bauform: Das 8-WSON (5x6mm) SMD-Gehäuse spart Platz auf der Platine.
• RoHS-konform: Umweltfreundlich, erfüllt globale Regulierungsstandards.

Anwendungen

Ideal für die Speicherung von Code, Datenprotokollierung, Firmware-Updates und Konfigurationen in eingebetteten Systemen, IoT-Geräten, Kfz-Steuergeräten, industriellen Steuerungen und Telekommunikationsgeräten.

Authentische Komponenten mit vollständiger Rückverfolgbarkeit

Wir beziehen alle BY25FQ256ELWIG(R)-Komponenten von autorisierten Händlern und gewährleisten so 100%ige Echtheit durch vollständige Herstellerdokumentation, Datenblätter und Chargenrückverfolgbarkeit. Jedes Gerät wird mit Zertifizierung ausgeliefert und ist durch unsere Qualitätsgarantie und unser Engagement für eine lange Lebensdauer abgesichert.

Vollständige technische Spezifikationen

• BY25FQ256ELWIG(R).pdf