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BYTe Semiconductor

BY25FQ256ESSIG(R)

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BYTe BY25FQ256ESSIG(R) - Hochleistungsfähiger 256-Mbit-NOR-Flash-Speicher

Der BY25FQ256ESSIG® von BYTe Semiconductor bietet zuverlässigen, schnellen, nichtflüchtigen Speicher für anspruchsvolle Anwendungen in Industrie, Automobil und Telekommunikation. Dieser 256-Mbit-NOR-Flash-Speicher verfügt über eine fortschrittliche Quad-SPI-Schnittstelle mit DTR-Unterstützung und ermöglicht Datenübertragungsraten von bis zu 166 MHz für einen schnellen Systemstart und eine zügige Codeausführung.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Speicher mit hoher Dichte: 256 Mbit (32 MB x 8) Kapazität bieten ausreichend Platz für Firmware, Konfigurationsdaten und Anwendungscode.
  • Hohe Leistungsfähigkeit: 166 MHz Taktfrequenz mit 5 ns Zugriffszeit gewährleisten schnellen Datenabruf und hohe Systemreaktionsfähigkeit.
  • Erweiterte Schnittstelle: SPI Quad I/O, QPI und DTR-Modi maximieren den Durchsatz und minimieren die Pin-Anzahl
  • Breiter Betriebsbereich: Versorgungsspannung 2,7 V bis 3,6 V bei einem Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C für industrietaugliche Zuverlässigkeit
  • Effiziente Programmierung: 100 µs Wortschreib- und 2,4 ms Seitenschreibzyklen optimieren Aktualisierungsoperationen
  • Kompakte Bauform: 8-SOIC-Oberflächenmontagegehäuse (5,30 mm Breite) spart wertvollen Platz auf der Platine.
  • RoHS-konform: Umweltverträgliche Fertigung erfüllt globale Standards

Ideale Anwendungsbereiche

Ideal für eingebettete Systeme, die eine sichere Code-Speicherung, BIOS-/Firmware-Updates, Datenprotokollierung, Konfigurationsmanagement und Bootcode erfordern, in der Luft- und Raumfahrt, in Steuergeräten für die Automobilindustrie, in industriellen Steuerungen, in Netzwerkgeräten und in IoT-Geräten.

Authentische Komponenten mit vollständiger Rückverfolgbarkeit

Jede BY25FQ256ESSIG(R)-Einheit wird mit vollständiger Herstellerdokumentation geliefert, was Authentizität und lückenlose Rückverfolgbarkeit gewährleistet. Unser autorisierter Händlerbestand sichert Ihnen eine lange Verfügbarkeit und technischen Support für Ihre kritischen Designs.

Vollständige technische Spezifikationen

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller BYTE Semiconductor
Produktserie
Verpackung Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR)
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie Blitz - NOR
Speichergröße 256 Mbit
Speicherorganisation 32 m x 8
Speicherschnittstelle SPI – Quad I/O, QPI, DTR
Taktfrequenz 166 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 100µs, 2,4ms
Zugriffszeit 5 ns
Spannungsversorgung 2,7 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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