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BYTe Semiconductor

BY25FQ256ESSIG(T)

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BY25FQ256ESSIG(T) - Hochleistungsfähiger 256-Mbit-NOR-Flash-Speicher

Der BY25FQ256ESSIG(T) von BYTe Semiconductor ist ein hochdichter, leistungsstarker 256-Mbit-NOR-Flash-Speicher, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation entwickelt wurde. Dieses Bauteil verfügt über eine fortschrittliche SPI-Quad-I/O-Schnittstelle mit QPI- und DTR-Unterstützung und bietet eine außergewöhnliche Lese-/Schreibleistung bei einer Taktfrequenz von 166 MHz.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Speicherdichte: Die 256-Mbit-Speicherorganisation (32M x 8) bietet ausreichend Kapazität für Firmware, Code-Speicherung und Datenprotokollierung.
  • Hohe Leistungsfähigkeit: 166 MHz Taktfrequenz mit 5 ns Zugriffszeit gewährleisten schnellen Datenabruf und schnelle Systemreaktion.
  • Flexible Schnittstelle: SPI Quad I/O, QPI- und DTR-Modi unterstützen vielseitige Systemintegrationsanforderungen
  • Breiter Betriebsbereich: Versorgungsspannung 2,7 V bis 3,6 V bei einem Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C für industrietaugliche Zuverlässigkeit
  • Kompakte Bauform: Das 8-SOIC-Oberflächenmontagegehäuse (5,30 mm Breite) optimiert die Platinenplatznutzung.
  • RoHS-konform: Umweltfreundliches Design erfüllt globale Regulierungsstandards.

Anwendungen

Ideal für die Speicherung von FPGA-Konfigurationen, Firmware eingebetteter Systeme, industrielle Steuerungssysteme, Automobilelektronik, Telekommunikationsgeräte und IoT-Geräte, die einen zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher mit langer Lebensdauer benötigen.

Vollständige technische Spezifikationen

Warum Sie sich für unseren autorisierten Vertriebspartner entscheiden sollten

Wir bieten Ihnen 100 % authentische BYTe Semiconductor-Komponenten mit vollständiger Herstellerdokumentation, Rückverfolgbarkeitszertifikaten und langfristigem Support über den gesamten Produktlebenszyklus. Unser Lagerbestand stammt direkt aus autorisierten Vertriebskanälen, wodurch die Echtheit und Zuverlässigkeit unserer Produkte für Ihre kritischen Anwendungen gewährleistet ist.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller BYTE Semiconductor
Produktserie
Verpackung Röhre | Röhre
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie Blitz - NOR
Speichergröße 256 Mbit
Speicherorganisation 32 m x 8
Speicherschnittstelle SPI – Quad I/O, QPI, DTR
Taktfrequenz 166 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 100µs, 2,4ms
Zugriffszeit 5 ns
Spannungsversorgung 2,7 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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