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BY25FQ256ESWIG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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BY25FQ256ESWIG(R) - 256-Mbit-NOR-Flash-Speicher
Hochleistungsfähiger 256-Mbit-NOR-Flash-Speicher von BYTe Semiconductor mit Quad-SPI-Schnittstelle und DTR-Unterstützung für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation. Dieses Originalbauteil wird mit vollständiger Herstellerdokumentation und Rückverfolgbarkeit geliefert.
Hauptmerkmale:
- Hohe Dichte: 256 Mbit (32M x 8) Speicherorganisation
- Hohe Leistungsfähigkeit: 166 MHz Taktfrequenz mit 5 ns Zugriffszeit
- Erweiterte Schnittstelle: Unterstützung für SPI Quad I/O, QPI und DTR
- Breiter Betriebsbereich: 2,7 V bis 3,6 V Versorgungsspannung, -40 °C bis 85 °C Temperaturbereich
- Kompakte Bauform: 8-WSON (5x6mm) Oberflächenmontage mit freiliegendem Lötpad
- Industriequalität: Geeignet für unternehmenskritische Anwendungen
Anwendungsbereiche:
Ideal für die Speicherung von Code, die Datenprotokollierung, Firmware-Updates und eingebettete Systeme, die einen zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher mit schneller Lesegeschwindigkeit und geringem Stromverbrauch benötigen.
Vollständige technische Spezifikationen:
Qualitätssicherung:
Alle Komponenten stammen von autorisierten Distributoren und sind vollständig rückverfolgbar und dokumentiert. RoHS-konform. Langfristige Produktlebenszyklusgarantie sichert die Verfügbarkeit für Ihre kritischen Designs.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | BYTe Semiconductor |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | Blitz - NOR |
| Speichergröße | 256 Mbit |
| Speicherorganisation | 32 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI – Quad I/O, QPI, DTR |
| Taktfrequenz | 166 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 100µs, 2,4ms |
| Zugriffszeit | 5 ns |
| Spannungsversorgung | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-WDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-WSON (5x6) |
| RoHS |  |
BY25FQ256ESWIG(R).pdf