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BYTe Semiconductor

BY25FQ32ELSIG(R)

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BY25FQ32ELSIG(R) - 32-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher

Hochleistungsfähiger 32-Mbit-NOR-Flash-Speicher von BYTe Semiconductor, entwickelt für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation. Diese Originalkomponente verfügt über eine Quad-I/O-SPI-Schnittstelle mit 133 MHz Taktfrequenz und bietet zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher in einem kompakten 8-SOIC-Gehäuse für die Oberflächenmontage.

Hauptmerkmale:

  • 32 Mbit (4 M x 8) Flash-Speicherkapazität
  • SPI Quad I/O- und QPI-Schnittstelle für Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung
  • Maximale Taktfrequenz: 133 MHz
  • Niederspannungsbetrieb: 1,65 V bis 2 V
  • Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C
  • Schnelle Zugriffszeit: 7 ns
  • Kompaktes 8-SOIC-Oberflächenmontagegehäuse

Anwendungsgebiete: Eingebettete Systeme, Firmware-Speicherung, Datenprotokollierung, IoT-Geräte, industrielle Steuerungen, Automobilelektronik und Telekommunikationsgeräte.

Qualitätssicherung: Bezogen von autorisierten Händlern mit vollständiger Herstellerdokumentation, Rückverfolgbarkeitszertifikaten und langfristiger Produktlebenszyklusgarantie. RoHS-konform.

Vollständige technische Spezifikationen

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller BYTe Semiconductor
Produktserie
Verpackung Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR)
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie Blitz - NOR
Speichergröße 32 Mbit
Speicherorganisation 4 m x 8
Speicherschnittstelle SPI – Quad I/O, QPI
Taktfrequenz 133 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 100µs, 1,5ms
Zugriffszeit 7 ns
Spannungsversorgung 1,65 V ~ 2 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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