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BYTe Semiconductor

BY25FQ32ELTJG(R)

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Recycling Electronic Components

BY25FQ32ELTJG(R) - 32-Mbit-NOR-Flash-Speicher

Der BY25FQ32ELTJG(R) von BYTe Semiconductor ist ein leistungsstarker 32-Mbit-NOR-Flash-Speicher, der für anspruchsvolle Anwendungen in Industrie, Automobilbranche und Telekommunikation entwickelt wurde. Dieser nichtflüchtige Speicher verfügt über SPI-Quad-I/O- und QPI-Schnittstellen und ermöglicht schnellen Datenzugriff mit einer Taktfrequenz von 133 MHz und einer Zugriffszeit von 7 ns.

Hauptmerkmale:

  • 32 Mbit (4M x 8) Speicherkapazität
  • Unterstützung für SPI Quad I/O und QPI-Schnittstelle
  • Schnelle 133-MHz-Taktfrequenz mit 7 ns Zugriffszeit
  • Niederspannungsbetrieb: Versorgungsspannungsbereich 1,65 V bis 2 V
  • Erweiterter Temperaturbereich: -40 °C bis 105 °C
  • Oberflächenmontage 8-SOIC-Gehäuse
  • RoHS-konform

Anwendungsbereiche: Ideal für eingebettete Systeme, Firmware-Speicherung, Datenprotokollierung, IoT-Geräte, industrielle Steuerungen und Automobilelektronik, die einen zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher mit schneller Lesegeschwindigkeit erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller BYTe Semiconductor
Produktserie
Verpackung Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR)
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie Blitz - NOR
Speichergröße 32 Mbit
Speicherorganisation 4 m x 8
Speicherschnittstelle SPI – Quad I/O, QPI
Taktfrequenz 133 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 100µs, 1,5ms
Zugriffszeit 7 ns
Spannungsversorgung 1,65 V ~ 2 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 105 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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