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BYTe Semiconductor

BY25FQ64ELSIG(R)

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BY25FQ64ELSIG(R) - 64-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher

Der BY25FQ64ELSIG(R) von BYTe Semiconductor ist ein leistungsstarker 64-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher-IC, der für eingebettete Systeme mit Bedarf an zuverlässigem, nichtflüchtigem Speicher entwickelt wurde. Dank Quad-I/O- und QPI-Schnittstellenunterstützung bietet dieser Speicher hohe Lese-/Schreibgeschwindigkeiten bei einer Taktfrequenz von 133 MHz und extrem niedrigem Stromverbrauch (Betriebsspannung: 1,65 V bis 2 V).

Hauptmerkmale:

  • 64 Mbit (8 M x ​​8) Speicherkapazität
  • SPI Quad I/O- und QPI-Schnittstelle für Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung
  • 133 MHz maximale Taktfrequenz
  • Niederspannungsbetrieb: 1,65 V bis 2 V
  • Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C
  • Schnelle Zugriffszeit: 7 ns
  • 8-SOIC-Oberflächenmontagegehäuse

Anwendungsbereiche: Ideal für Automobilelektronik, industrielle Steuerungssysteme, Telekommunikationsgeräte, IoT-Geräte und eingebettete Firmware-Speicher, die eine lange Lebensdauer erfordern.

Autorisierter Distributor: Wir bieten Originalkomponenten von BYTe Semiconductor mit vollständiger Herstellerdokumentation, Rückverfolgbarkeitszertifikaten und Garantieleistungen. Weltweiter Versand möglich.

Vollständige technische Spezifikationen

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller BYTe Semiconductor
Produktserie
Verpackung Schneideband (CT) | Band und Rolle (TR)
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie Blitz - NOR
Speichergröße 64 Mbit
Speicherorganisation 8 m x 8
Speicherschnittstelle SPI – Quad I/O, QPI
Taktfrequenz 133 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 500µs, 2,5ms
Zugriffszeit 7 ns
Spannungsversorgung 1,65 V ~ 2 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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