-
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
BY25FQ64ESSIG(T)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
Verfügbarkeit für Abholungen konnte nicht geladen werden
BY25FQ64ESSIG(T) - 64-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher-IC
Der BY25FQ64ESSIG(T) von BYTe Semiconductor ist ein leistungsstarker 64-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation entwickelt wurde. Dieses Originalbauteil unterstützt Quad-I/O, QPI und DTR mit einer maximalen Taktfrequenz von 166 MHz und bietet schnelle Lese- und Schreibgeschwindigkeiten in einem kompakten 8-SOIC-Gehäuse für die Oberflächenmontage.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hochdichte Speicherung: Die 64-Mbit-Speicherorganisation (8M x 8) bietet ausreichend nichtflüchtigen Speicher für Firmware, Konfigurationsdaten und Anwendungscode.
- Hohe Leistungsfähigkeit: 166 MHz Taktfrequenz mit 5 ns Zugriffszeit gewährleisten schnellen Datenabruf und schnelle Systemreaktion.
- Erweiterte Schnittstelle: SPI Quad I/O, QPI- und DTR-Modi ermöglichen flexible Integration und Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung
- Breiter Betriebsbereich: Versorgungsspannung 2,7 V bis 3,6 V bei einem Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C – geeignet für diverse industrielle Umgebungen
- Zuverlässige Schreibzyklen: 300 µs Wortschreib- und 2,4 ms Seitenschreibzykluszeiten gewährleisten effiziente Programmiervorgänge.
- Kompakte Bauform: Das 8-SOIC-Gehäuse (5,30 mm Breite) für die Oberflächenmontage optimiert die Platinenplatznutzung.
Anwendungen
Ideal für die Speicherung von FPGA-Konfigurationen, Firmware eingebetteter Systeme, industrielle Steuerungssysteme, Automobilelektronik, Telekommunikationsgeräte und alle Anwendungen, die einen zuverlässigen, schnellen, nichtflüchtigen Speicher mit langer Lebensdauer erfordern.
Authentizität und Rückverfolgbarkeit
Wir beziehen alle Komponenten direkt von autorisierten Händlern und verfügen über vollständige Herstellerdokumentation und Rückverfolgbarkeit. Jede BY25FQ64ESSIG(T)-Einheit enthält vollständige Datenblätter, Konformitätszertifikate und Chargenverfolgung, um die Produktintegrität zu gewährleisten und Ihre Qualitätssicherungsanforderungen zu erfüllen.
Vollständige technische Spezifikationen
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | BYTe Semiconductor |
| Produktserie | |
| Verpackung | Röhre | Röhre |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | Blitz - NOR |
| Speichergröße | 64 Mbit |
| Speicherorganisation | 8 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI – Quad I/O, QPI, DTR |
| Taktfrequenz | 166 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 300µs, 2,4ms |
| Zugriffszeit | 5 ns |
| Spannungsversorgung | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite) |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-SOP |
| RoHS |  |
BY25FQ64ESSIG(T).pdf