BY25FQM1GESEIG(R)

BY25FQM1GESEIG(R) - Hochleistungsfähiger 1-Gbit-NOR-Flash-Speicher

Die authentische Flash-Speicherlösung von BYTe Semiconductor wurde speziell für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation entwickelt. Dieses 1-Gbit-NOR-Flash-Baustein bietet herausragende Leistung mit SPI-Quad-I/O-Schnittstelle und DTR-Unterstützung und arbeitet zuverlässig in einem erweiterten Temperaturbereich.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Hochdichte Speicherung: 1-Gbit-Speicherorganisation (128M x 8) für komplexe eingebettete Systeme
• Hohe Leistungsfähigkeit: 133 MHz Taktfrequenz mit 7 ns Zugriffszeit für schnellen Datenabruf
• Flexible Schnittstelle: SPI Quad I/O, QPI- und DTR-Modi für optimierten Durchsatz
• Industriequalität: Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C für raue Umgebungen
• Kompakte Bauform: 8-DFN (6x8 mm) SMD-Gehäuse mit freiliegendem Lötpad für das Wärmemanagement
• Breiter Spannungsbereich: 2,7 V bis 3,6 V Versorgungsspannung für Systemflexibilität
• Garantierte Echtheit: Direkt vom autorisierten Händler mit vollständiger Herstellerdokumentation und Rückverfolgbarkeit

Technische Spezifikationen

Anwendungen

• Luft- und Raumfahrtsysteme
• Automobilelektronik (ADAS, Infotainment)
• Industrielle Automatisierung und Steuerung
• Telekommunikationsinfrastruktur
• Medizinprodukte
• IoT & Eingebettete Systeme

Qualitätssicherung

Alle Einheiten stammen von autorisierten BYTe Semiconductor-Distributoren und verfügen über eine vollständige Herstellerdokumentation. Dies gewährleistet Authentizität, Rückverfolgbarkeit und langfristige Produktverfügbarkeit für kritische Design-In-Anwendungen.

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