BY25FQM1GESFIG(T)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €11,95 EUR | €11,95 EUR |
| 15+ | €10,99 EUR | €164,85 EUR |
| 25+ | €10,76 EUR | €269,00 EUR |
| 50+ | €10,16 EUR | €508,00 EUR |
| 100+ | €8,96 EUR | €896,00 EUR |
| N+ | €1,79 EUR | Price Inquiry |
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1-Gbit-NOR-Flash-Speicher – Hochleistungsfähig, industrietauglich
Der BY25FQM1GESFIG(T) ist ein hochdichter 1-Gbit-NOR-Flash-Speicher-IC von BYTe Semiconductor, der für anspruchsvolle Anwendungen in Industrie, Automobilbranche und Telekommunikation entwickelt wurde. Dieses SMD-Bauteil verfügt über eine fortschrittliche Quad-SPI-Schnittstelle mit DTR-Unterstützung und bietet eine herausragende Lese-/Schreibleistung bei einer Taktfrequenz von 133 MHz.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Speicher mit hoher Dichte: Die 1-Gbit-Speicherorganisation (128M x 8) bietet ausreichend Kapazität für Firmware, Datenprotokollierung und Code-Speicherung.
- Schnelle Schnittstelle: Quad-I/O-SPI mit QPI- und DTR-Modi ermöglicht schnelle Datenübertragung mit 133 MHz.
- Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 85 °C für raue Umgebungen
- Niedrige Zugriffszeit: Eine Zugriffszeit von 7 ns gewährleistet eine reaktionsschnelle Systemleistung.
- Flexible Stromversorgung: Breiter Spannungsbereich (2,7 V bis 3,6 V) vereinfacht die Integration
- Kompaktes Gehäuse: 16-SOIC-Oberflächenmontagegehäuse (7,50 mm Breite) spart Platz auf der Platine
- RoHS-konform: Umweltfreundliche, bleifreie Konstruktion
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für die Speicherung von FPGA-Konfigurationen, Firmware eingebetteter Systeme, industrielle Steuerungssysteme, Automobilelektronik, Telekommunikationsgeräte und IoT-Geräte, die einen nichtflüchtigen Speicher mit langfristiger Zuverlässigkeit benötigen.
Vollständige technische Spezifikationen
Echtheit garantiert: Alle Produkte stammen direkt von autorisierten Händlern und verfügen über vollständige Herstellerdokumentation und Rückverfolgbarkeit. Langfristige Produktlebenszyklusgarantie sichert die Verfügbarkeit Ihrer kritischen Designs.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | BYTE Semiconductor |
| Produktserie | |
| Verpackung | Röhre | Röhre |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | Blitz - NOR |
| Speichergröße | 1 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 128 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI – Quad I/O, QPI, DTR |
| Taktfrequenz | 133 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 150µs, 2,4ms |
| Zugriffszeit | 7 ns |
| Spannungsversorgung | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) |
| Gerätepaket des Lieferanten | 16-SOP |
| RoHS |

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