BY25FQM512ESWIG(R)

BY25FQM512ESWIG(R) - Hochleistungsfähiger 512-Mbit-Quad-SPI-NOR-Flash-Speicher

Der BY25FQM512ESWIG® von BYTe Semiconductor bietet zuverlässigen, schnellen, nichtflüchtigen Speicher für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation. Dieser 512-Mbit-NOR-Flash-Speicher verfügt über eine Quad-SPI-Schnittstelle mit DTR-Unterstützung und ermöglicht Datenübertragungsraten von bis zu 166 MHz für unternehmenskritische Systeme, die schnelle Startzeiten und Codeausführung erfordern.

Hauptmerkmale und Vorteile

• 512 Mbit (64 MB x 8) Speicherkapazität: Ausreichend Speicherplatz für Firmware, Bootcode und Konfigurationsdaten
• Quad I/O SPI mit QPI & DTR: Hochgeschwindigkeitsschnittstelle mit Unterstützung einer Taktfrequenz von 166 MHz für schnellen Datenzugriff
• Extrem schnelle Zugriffszeit: 5 ns Zugriffszeit gewährleisten minimale Latenz für zeitkritische Vorgänge.
• Breiter Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 85 °C (TA) für industrielle und automobile Umgebungen
• Betrieb mit geringem Stromverbrauch: Versorgungsspannung von 2,7 V bis 3,6 V für energieeffiziente Ausführungen
• Kompaktes SMD-Gehäuse: 8-WSON (5x6mm) mit freiliegendem Pad für überlegene Wärmeleistung
• RoHS-konform: Umweltverträgliche Fertigung erfüllt globale Standards

Anwendungen

Ideal für die Speicherung von FPGA-Konfigurationen, Bootcode eingebetteter Systeme, Firmware von Kfz-Steuergeräten, industrielle Steuerungssysteme, Telekommunikationsgeräte und alle Anwendungen, die einen zuverlässigen, schnellen, nichtflüchtigen Speicher mit erweitertem Temperaturbetrieb erfordern.

Qualitäts- und Echtheitsgarantie

Bezogen von autorisierten Händlern mit vollständiger Herstellerdokumentation, Rückverfolgbarkeit und langfristigem Support. Jede Einheit wird in werkseitig versiegelter Gurtverpackung geliefert, um Authentizität und Zuverlässigkeit für Ihre kritischen Designs zu gewährleisten.

Vollständige technische Spezifikationen

• BY25FQM512ESWIG(R).pdf