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BYTe Semiconductor

BY25Q128ESFIG(T)

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BYTe BY25Q128ESFIG(T) - 128-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher

Der BY25Q128ESFIG(T) ist ein leistungsstarker 128-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher von BYTe Semiconductor, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation entwickelt wurde. Dieser nichtflüchtige Flash-Speicher verfügt über eine Quad-I/O-Schnittstelle für einen erhöhten Datendurchsatz und arbeitet mit Taktfrequenzen von bis zu 120 MHz bei schnellen Zugriffszeiten von 7,5 ns.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Speicherdichte: Die 128-Mbit-Speicherorganisation (16M x 8) bietet ausreichend Speicherplatz für Firmware, Konfigurationsdaten und Anwendungscode.
  • Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 120 MHz bei einer Zugriffszeit von 7,5 ns gewährleistet schnellen Datenabruf und hohe Systemreaktionsfähigkeit.
  • Quad-I/O-Schnittstelle: Die SPI-Quad-I/O-Unterstützung ermöglicht eine höhere Bandbreite und schnellere Programmier-/Lesevorgänge.
  • Breiter Betriebsbereich: Versorgungsspannung 2,7 V bis 3,6 V bei einem Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C für industrietaugliche Zuverlässigkeit
  • Oberflächenmontagegehäuse: Kompaktes 16-SOIC-Gehäuse (7,50 mm Breite), optimiert für platzsparende Designs
  • Bewährte Zuverlässigkeit: NOR-Flash-Technologie mit schnellen Schreibzyklen (60 µs Wort, 2,4 ms Seite) für unternehmenskritische Anwendungen

Anwendungen

Ideal für die Speicherung von FPGA-Konfigurationen, Firmware eingebetteter Systeme, Datenprotokollierung, industrielle Steuerungssysteme, Automobilelektronik und Telekommunikationsgeräte, die einen zuverlässigen, schnellen, nichtflüchtigen Speicher benötigen.

Qualitäts- und Echtheitsgarantie

Alle BY25Q128ESFIG(T)-Einheiten stammen von autorisierten Distributoren und verfügen über vollständige Herstellerdokumentation, Rückverfolgbarkeit und langfristigen Support. Jede Komponente ist in einem Standard-Röhrchen verpackt, um eine nahtlose Integration in Ihre bestehende Lieferkette und Ihre Fertigungsprozesse zu gewährleisten.

Vollständige technische Spezifikationen

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller BYTe Semiconductor
Produktserie
Verpackung Röhre | Röhre
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie Blitz - NOR
Speichergröße 128 Mbit
Speicherorganisation 16 m x 8
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O
Taktfrequenz 120 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 60µs, 2,4ms
Zugriffszeit 7,5 ns
Spannungsversorgung 2,7 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 16-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 16-SOP

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