BY25Q16ESEIG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
Verfügbarkeit für Abholungen konnte nicht geladen werden
BY25Q16ESEIG(R) - Hochleistungsfähiger 16-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher
Der BY25Q16ESEIG(R) von BYTe Semiconductor ist ein hochdichter, energieeffizienter 16-Mbit-NOR-Flash-Speicher mit fortschrittlichen SPI-Quad-I/O- und QPI-Schnittstellen. Entwickelt für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation, bietet diese Komponente zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher mit herausragenden Leistungseigenschaften.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hochgeschwindigkeitsbetrieb: 108 MHz Taktfrequenz mit 7 ns Zugriffszeit für schnellen Datenabruf
- Flexible Schnittstelle: SPI Quad I/O- und QPI-Unterstützung für vielseitige Systemintegration
- Breiter Betriebsbereich: Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C bei einer Versorgungsspannung von 2,7 V bis 3,6 V.
- Kompakte Bauform: 8-WSON (8x6) SMD-Gehäuse mit freiliegendem Pad für verbesserte Wärmeleistung
- Authentische Herkunft: Originalprodukt von BYTe Semiconductor mit vollständiger Herstellerdokumentation und Rückverfolgbarkeit
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Ideal für eingebettete Systeme, die einen zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher benötigen, darunter Industriesteuerungen, Automobilelektronik, Telekommunikationsgeräte und Luft- und Raumfahrtsysteme. Der breite Betriebstemperaturbereich und die robuste Bauweise machen es geeignet für unternehmenskritische Anwendungen.
Qualitäts- und Echtheitsgarantie
Alle Komponenten werden direkt von autorisierten Distributoren bezogen und verfügen über die vollständige Herstellerdokumentation. Dies gewährleistet die Echtheit der Produkte und deren langfristige Verfügbarkeit für Ihre Designanforderungen.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | BYTE Semiconductor |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | Blitz - NOR |
| Speichergröße | 16 Mbit |
| Speicherorganisation | 2 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI – Quad I/O, QPI |
| Taktfrequenz | 108 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 50µs, 2,4ms |
| Zugriffszeit | 7 ns |
| Spannungsversorgung | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 8-WDFN Freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-WSON (8x6) |
| RoHS |

BY25Q16ESEIG(R).pdf