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BYTe Semiconductor

BY25Q256ESEIG(R)

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BY25Q256ESEIG(R) - 256-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher

Der BY25Q256ESEIG® von BYTe Semiconductor ist ein leistungsstarker 256-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation entwickelt wurde. Dieses Originalbauteil verfügt über Quad-I/O-, QPI- und DTR-Schnittstellen mit einer Taktfrequenz von 100 MHz und bietet zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher in einem kompakten 8-WSON-Gehäuse (8x6) für die Oberflächenmontage.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hochdichter Speicher: Die 256-Mbit-Speicherorganisation (32M x 8) bietet ausreichend Kapazität für Firmware, Datenprotokollierung und Konfigurationsspeicherung.
  • Hohe Leistungsfähigkeit: Die Taktfrequenz von 100 MHz bei einer Zugriffszeit von 7 ns gewährleistet einen schnellen Datenabruf für zeitkritische Anwendungen.
  • Flexible Schnittstelle: SPI Quad I/O-, QPI- und DTR-Unterstützung ermöglichen optimierten Durchsatz und Systemintegration
  • Breiter Betriebsbereich: Versorgungsspannung 2,7 V bis 3,6 V mit einem Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C für raue Umgebungen
  • Zuverlässige Schreibleistung: 50 µs Wortschreib- und 2,4 ms Seitenschreibzyklen für effiziente Programmierung
  • Kompakte Bauform: 8-WDFN-Anschlusspads / 8-WSON-Gehäuse (8x6) optimieren die Platinenplatznutzung.
  • RoHS-konform: Umweltverträgliche Fertigung erfüllt globale Standards

Ideale Anwendungsbereiche

Dieser NOR-Flash-Speicher wurde für Design-Inszenierungen entwickelt, die eine lange Lebensdauer, zuverlässige Bezugsquellen und vollständige Herstellerdokumentation erfordern. Typische Anwendungsfälle sind die Speicherung von FPGA-Konfigurationen, Firmware für eingebettete Systeme, industrielle Steuerungssysteme, Steuergeräte in der Automobilindustrie und Telekommunikationsinfrastruktur.

Autorisierter Vertrieb & Rückverfolgbarkeit

Wir beziehen alle BY25Q256ESEIG(R)-Komponenten von autorisierten Distributoren und verfügen über vollständige Rückverfolgbarkeitsdokumentation, Herstellerdatenblätter und Qualitätszertifizierungen. Jede Einheit wird in Original-Gurtverpackung versendet, um Authentizität und Zuverlässigkeit für Ihre kritischen Anwendungen zu gewährleisten.

Vollständige technische Spezifikationen

Benötigen Sie Anwendungsunterstützung, Referenzdesigns oder Mengenrabatte? Kontaktieren Sie unser Entwicklungsteam für Unterstützung bei der Entwicklung und langfristige Verfügbarkeitszusagen.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller BYTE Semiconductor
Produktserie
Verpackung Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR)
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie Blitz - NOR
Speichergröße 256 Mbit
Speicherorganisation 32 m x 8
Speicherschnittstelle SPI – Quad I/O, QPI, DTR
Taktfrequenz 100 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 50µs, 2,4ms
Zugriffszeit 7 ns
Spannungsversorgung 2,7 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Freiliegendes Pad
Gerätepaket des Lieferanten 8-WSON (8x6)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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