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BYTe Semiconductor

BY25QM512FSZIG(Y)

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Recycling Electronic Components

BY25QM512FSZIG(Y) - 512-Mbit-SPI-NOR-Flash-Speicher-IC

Der BY25QM512FSZIG(Y) von BYTe Semiconductor ist ein leistungsstarker 512-Mbit-NOR-Flash-Speicher-IC mit SPI-Quad-I/O-Schnittstelle und 100-MHz-Taktfrequenz. Er wurde für industrielle Anwendungen mit Bedarf an zuverlässigem, nichtflüchtigem Speicher entwickelt, arbeitet in einem erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C und ist in einem kompakten 24-TFBGA-Gehäuse (8x6) für die Oberflächenmontage erhältlich.

Hauptmerkmale:

  • 512 Mbit (64 M x 8) Speicherkapazität
  • SPI Quad I/O-Schnittstelle für Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung
  • 100 MHz Taktfrequenz mit 7 ns Zugriffszeit
  • Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C
  • Niederspannungsbetrieb: 2,7 V bis 3,6 V
  • RoHS-konform für Umweltschutz
  • Kompaktes 24-TFBGA-Oberflächenmontagegehäuse

Anwendungsbereiche: Ideal für eingebettete Systeme, IoT-Geräte, Automobilelektronik, industrielle Steuerungssysteme und alle Anwendungen, die einen zuverlässigen, schnellen, nichtflüchtigen Speicher mit langer Lebensdauer erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller BYTE Semiconductor
Produktserie
Verpackung Tablett |
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie Blitz - NOR
Speichergröße 512 Mbit
Speicherorganisation 64 m x 8
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O
Taktfrequenz 100 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 3 ms
Zugriffszeit 7 ns
Spannungsversorgung 2,7 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 24-TBGA
Gerätepaket des Lieferanten 24-TFBGA (8x6)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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