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CY621472GN30-45ZSXI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Infineon CY621472GN30-45ZSXI - 4-Mbit-asynchroner SRAM-Speicher-IC
Der CY621472GN30-45ZSXI von Infineon Technologies ist ein leistungsstarker asynchroner 4-Mbit-SRAM-Speicher-IC aus der MOBL™-Produktserie. Dieser oberflächenmontierbare Speicherbaustein verfügt über eine 256K x 16-Struktur mit einer schnellen Zugriffszeit von 45 ns und eignet sich daher ideal für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation, die zuverlässigen, schnellen flüchtigen Speicher erfordern.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: Zugriffszeit und Schreibzykluszeit von 45 ns für anspruchsvolle Echtzeitanwendungen
- Breiter Betriebsspannungsbereich: 2,2 V bis 3,6 V Versorgungsspannungsbereich für flexible Systemintegration
- Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C. Der Betrieb gewährleistet Zuverlässigkeit auch unter rauen Umgebungsbedingungen.
- Parallele Schnittstelle: Standardmäßige asynchrone SRAM-Schnittstelle für einfache Integration
- Kompaktes Gehäuse: 44-TSOP II Oberflächenmontagegehäuse (0,400", 10,16 mm Breite)
- RoHS-konform: Umweltfreundliche, bleifreie Konstruktion
Anwendungen
Dieses SRAM eignet sich gut für Pufferspeicher, Cache-Speicher, Datenprotokollierung, eingebettete Systeme, industrielle Steuerungen, Netzwerkgeräte und Telekommunikationsinfrastrukturen, wo ein schneller, zuverlässiger flüchtiger Speicher unerlässlich ist.
Garantie des autorisierten Händlers
Wir liefern ausschließlich Lagerware autorisierter Händler mit vollständiger Herstellerdokumentation, Rückverfolgbarkeit und Garantieleistungen. Jedes Gerät entspricht den Qualitätsstandards von Infineon und unserem Versprechen einer langen Verfügbarkeit.
Vollständige technische Spezifikationen
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktserie | MOBL™ |
| Verpackung | Tablett | Tablett |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchron |
| Speichergröße | 4 Mbit |
| Speicherorganisation | 256K x 16 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 45 ns |
| Zugriffszeit | 45 ns |
| Spannungsversorgung | 2,2 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) |
| Gerätepaket des Lieferanten | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
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