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Micron Technology Inc.

EDB5432BEBH-1DAUT-FR TR

Normaler Preis €82.005,95
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Micron EDB5432BEBH-1DAUT-FR TR - 512Mbit LPDDR2 SDRAM Mobile Memory

Der EDB5432BEBH-1DAUT-FR TR von Micron Technology ist ein leistungsstarker 512-Mbit-LPDDR2-SDRAM-Speicher für mobile Anwendungen, der für die Automobilindustrie und eingebettete Systeme entwickelt wurde und zuverlässige, energieeffiziente Speicherlösungen erfordert. Dieser Speicher-IC in Automobilqualität verfügt über eine 16M x 32-Architektur mit paralleler Schnittstelle und arbeitet mit einer Taktfrequenz von 533 MHz.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Zuverlässigkeit in Automobilqualität: Der erweiterte Temperaturbereich (-40 °C bis 125 °C) gewährleistet einen stabilen Betrieb auch unter anspruchsvollen Bedingungen im Automobilbereich.
  • Geringer Stromverbrauch: Die LPDDR2-Technologie mit einer Versorgungsspannung von 1,14 V ~ 1,95 V optimiert die Energieeffizienz für mobile und eingebettete Systeme.
  • Hohe Leistungsfähigkeit: Die Taktfrequenz von 533 MHz ermöglicht schnellen Datenzugriff für anspruchsvolle Anwendungen.
  • Kompaktes SMD-Gehäuse: 134-VFBGA (10x11,5 mm) spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte.
  • Vollständige Rückverfolgbarkeit: Gurtverpackung mit vollständiger Herstellerdokumentation und Echtheitsgarantie

Ideale Anwendungsbereiche

Ideal für Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, Fahrerassistenzsysteme (ADAS), industrielle Steuerungssysteme, eingebettete Computerplattformen und andere Anwendungen, die zuverlässigen mobilen DRAM mit Unterstützung eines erweiterten Temperaturbereichs erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen

Autorisierter Distributor: Wir liefern ausschließlich Original-Komponenten von Micron mit vollständiger Rückverfolgbarkeit, Dokumentation und langfristigem Support. Alle Produkte sind RoHS-konform und durch unsere Echtheitsgarantie abgesichert.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Micron Technology Inc.
Produktserie
Verpackung | Tonband & Spule (TR)
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße 512 Mbit
Speicherorganisation 16 m x 32
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 533 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Spannungsversorgung 1,14 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 125 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 134-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 134-VFBGA (10x11,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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