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Everspin Technologies Inc.

EM004LXQBDH10ISCR

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Recycling Electronic Components

Everspin EM004LXQBDH10ISCR - 4-Mbit-MRAM-Speicher-IC

Der EM004LXQBDH10ISCR von Everspin Technologies ist ein leistungsstarker 4-Mbit-MRAM (magnetoresistiver RAM) mit nichtflüchtiger Speichertechnologie, der die Geschwindigkeit und Lebensdauer von SRAM vereint. Dieser industrietaugliche Speicher-IC bietet außergewöhnliche Zuverlässigkeit für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der industriellen Automatisierung und der Telekommunikation.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Nichtflüchtige MRAM-Technologie: Speichert Daten ohne Stromversorgung und bietet unbegrenzte Lese-/Schreibzyklen.
  • Hohe Leistungsfähigkeit: 108 MHz Taktfrequenz mit 7 ns Zugriffszeit für schnelle Datenverarbeitung
  • Quad-SPI-Schnittstelle: Die xSPI Quad-I/O-Schnittstelle ermöglicht eine effiziente serielle Kommunikation.
  • Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 85 °C für raue Umgebungen
  • Betrieb mit geringem Stromverbrauch: 1,65 V bis 2 V Versorgungsspannung für energieeffiziente Ausführungen
  • Kompaktes SMD-Gehäuse: 8-VDFN (5x6mm) mit freiliegendem Pad für überlegene Wärmeleistung
  • RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale Regulierungsstandards.

Ideale Anwendungsbereiche

Ideal für Flugschreiber in der Luft- und Raumfahrt, Steuergeräte in der Automobilindustrie, industrielle SPS-Systeme, RAID-Systeme, Netzwerkinfrastrukturen, medizinische Geräte und alle Anwendungen, die einen schnellen, zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher mit unbegrenzter Schreibausdauer erfordern.

Autorisierter Händler

Wir liefern ausschließlich 100 % authentische Everspin-Komponenten mit vollständiger Herstellerdokumentation, Rückverfolgbarkeitszertifikaten und langfristigem Support. Weltweiter Versand über autorisierte Vertriebspartner mit Design-In-Unterstützung und technischem Support.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Everspin Technologies Inc.
Produktserie EMxxLX
Verpackung Schneideband (CT) | Band und Rolle (TR)
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat RAM
Technologie MRAM (Magnetoresistiver RAM)
Speichergröße 4 Mbit
Speicherorganisation 512K x 8
Speicherschnittstelle xSPI - Quad I/O
Taktfrequenz 108 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit 7 ns
Spannungsversorgung 1,65 V ~ 2 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 8-VDFN Freiliegendes Pad
Gerätepaket des Lieferanten 8-DFN (5x6)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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