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EM639165TS-5G
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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EM639165TS-5G - Hochleistungsfähiger 128-Mbit-SDRAM-Speicher-IC
Der EM639165TS-5G von Etron Technology ist ein hochwertiger 128-Mbit-Synchron-DRAM (SDRAM), der für anspruchsvolle Embedded-, Industrie- und Automobilanwendungen entwickelt wurde. Mit einer 8M x 16-Speicherorganisation und einer Taktfrequenz von 200 MHz bietet dieser Speicher-IC mit paralleler Schnittstelle zuverlässige Leistung für datenintensive Systeme.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Geschwindigkeit: Eine Taktfrequenz von 200 MHz bei einer Zugriffszeit von 4,5 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
- Flexible Speicherorganisation: 8M x 16-Konfiguration optimiert für 16-Bit-Datenbusarchitekturen
- Breiter Betriebsbereich: 3 V bis 3,6 V Versorgungsspannung bei 0 °C bis 70 °C Betriebstemperatur
- Industriestandard-Gehäuse: 54-TSOP II-Oberflächenmontagegehäuse für zuverlässige Leiterplattenintegration
- Parallele Schnittstelle: Direkter Speicherzugriff für maximalen Durchsatz in eingebetteten Systemen
Technische Spezifikationen
Anwendungen und Anwendungsfälle
Dieser SDRAM eignet sich ideal für industrielle Steuerungen, Automobilelektronik, Netzwerkgeräte, medizinische Geräte und IoT-Gateways, die einen schnellen, zuverlässigen flüchtigen Speicher mit bewährter Lebenszyklusunterstützung benötigen.
Authentische Beschaffung & Qualitätssicherung
Bei HQICKEY garantieren wir 100 % authentische Etron-Speicherkomponenten mit vollständiger Rückverfolgbarkeit und umfassender Lebenszyklusgarantie. Jedes EM639165TS-5G wird mit Herstellerdokumentation und Qualitätszertifikaten geliefert.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Etron Technology, Inc. |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM |
| Speichergröße | 128 Mbit |
| Speicherorganisation | 8 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 200 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 10 ns |
| Zugriffszeit | 4,5 ns |
| Spannungsversorgung | 3 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | 0 °C ~ 70 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) |
| Gerätepaket des Lieferanten | 54-TSOP II |
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