EM63A165BM-5IH
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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EM63A165BM-5IH - Hochleistungsfähiger 256-Mbit-SDRAM-Speicher-IC
Der EM63A165BM-5IH von Etron Technology, Inc. ist ein hochwertiger 256-Mbit-SDRAM-Speicher-IC, der speziell für unternehmenskritische Embedded-Systeme entwickelt wurde, die höchste Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit erfordern. Diese flüchtige DRAM-Lösung bietet herausragende Leistung mit einer Taktfrequenz von 200 MHz und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 4,5 ns und eignet sich daher ideal für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der industriellen Automatisierung, der Medizintechnik und der Telekommunikation.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 200 MHz bei einer Zugriffszeit von 4,5 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
- Hohe Speicherkapazität: Die 256-Mbit-Organisation (16M x 16) bietet ausreichend Speicherplatz für anspruchsvolle Anwendungen.
- Industrielle Zuverlässigkeit: Breiter Betriebstemperaturbereich (-40 °C bis 85 °C) für raue Umgebungen
- Kompaktes SMD-Design: 54-TFBGA-Gehäuse (8x8 mm) optimiert den Platzbedarf auf der Platine
- Parallele Schnittstelle: Vereinfacht die Integration in bestehende Systemarchitekturen
- RoHS-konform: Erfüllt die Umweltstandards für den weltweiten Einsatz
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Dieses hochzuverlässige SDRAM eignet sich perfekt für:
- Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungssysteme
- Automobilelektronik und ADAS
- Industrielle Steuerung und Automatisierung
- Medizinische Bildgebungs- und Diagnosegeräte
- Telekommunikationsinfrastruktur
- Hochleistungsfähige eingebettete Computer
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Etron Technology, Inc. |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM |
| Speichergröße | 256 Mbit |
| Speicherorganisation | 16 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 200 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 10 ns |
| Zugriffszeit | 4,5 ns |
| Spannungsversorgung | 3 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 54-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 54-FBGA (8x8) |
| RoHS |
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