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Etron Technology, Inc.

EM63A165TS-5G

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EM63A165TS-5G - Hochleistungsfähiger 256-Mbit-SDRAM-Speicher-IC

Der EM63A165TS-5G von Etron Technology ist ein hochzuverlässiger 256-Mbit-Synchron-DRAM (SDRAM), der für anspruchsvolle Anwendungen in Industrie, Automobilindustrie und eingebetteten Systemen entwickelt wurde. Dieser Speicher-IC mit paralleler Schnittstelle bietet mit einer Taktfrequenz von 200 MHz und einer schnellen Zugriffszeit von 4,5 ns herausragende Leistung und eignet sich daher ideal für datenintensive Operationen, die schnelle Lese-/Schreibzyklen erfordern.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 200 MHz bei einer Zugriffszeit von 4,5 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
  • Flexible Speicherorganisation: 16M x 16-Konfiguration, optimiert für parallele Datenverarbeitung
  • Breiter Betriebsbereich: Versorgungsspannung 3 V bis 3,6 V mit einer Temperaturtoleranz von 0 °C bis 70 °C
  • Industriestandard-Gehäuse: 54-TSOP II-Oberflächenmontagegehäuse für zuverlässige Leiterplattenintegration
  • RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Standards

Technische Spezifikationen

Anwendungen und Anwendungsfälle

Der EM63A165TS-5G SDRAM wurde für unternehmenskritische Anwendungen entwickelt, bei denen Zuverlässigkeit und Leistung höchste Priorität haben. Typische Anwendungsbereiche sind industrielle Automatisierungssteuerungen, Infotainmentsysteme für Fahrzeuge, Telekommunikationsgeräte, Medizingeräte und eingebettete Computerplattformen. Dank seines robusten Betriebstemperaturbereichs und seiner bewährten Zuverlässigkeit eignet er sich auch für raue Umgebungsbedingungen.

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Bestellinformationen

Der EM63A165TS-5G ist in Gurtverpackung für automatisierte Montageprozesse erhältlich. Kontaktieren Sie unser technisches Team für Mengenrabatte, Lieferzeiten und anwendungsspezifische Empfehlungen.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Etron Technology, Inc.
Produktserie
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM
Speichergröße 256 Mbit
Speicherorganisation 16 m x 16
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10 ns
Zugriffszeit 4,5 ns
Spannungsversorgung 3 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur 0 °C ~ 70 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 54-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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