EM6A9160TSC-4G

Produktübersicht

Der EM6A9160TSC-4G von Etron Technology ist ein leistungsstarker 128-Mbit-DDR-SDRAM-Speicher-IC, der für Embedded-, Industrie- und IoT-Anwendungen entwickelt wurde. Mit einer 8M x 16-Organisation und einer Taktfrequenz von 250 MHz bietet diese flüchtige Speicherkomponente zuverlässige Leistung auch unter anspruchsvollen Bedingungen.

Hauptmerkmale

• Speicherkapazität: 128 Mbit DDR SDRAM mit 8M x 16-Organisation
• Hohe Leistungsfähigkeit: 250 MHz Taktfrequenz mit 700 ps Zugriffszeit
• Industrieller Temperaturbereich: 0 °C bis 70 °C (TA) für zuverlässigen Betrieb
• Kompaktes Gehäuse: 66-TSOP II Oberflächenmontagegehäuse (10,16 mm Breite)
• Niederspannungsbetrieb: 2,3 V bis 2,7 V Versorgungsspannung für Energieeffizienz
• Schneller Schreibzyklus: 12 ns Schreibzykluszeit für schnelle Datenverarbeitung

Anwendungen

Dieser DDR SDRAM eignet sich ideal für eingebettete Systeme, industrielle Steuerungen, Automobilelektronik, Netzwerkgeräte und IoT-Geräte, die einen schnellen, zuverlässigen flüchtigen Speicher mit paralleler Schnittstellenanbindung benötigen.

Technische Spezifikationen

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