EM6A9160TSC-4IG
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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Produktübersicht
Der EM6A9160TSC-4IG ist ein leistungsstarker 128-Mbit-DDR-SDRAM-Speicher-IC von Etron Technology, Inc. , der für anspruchsvolle Embedded-Anwendungen entwickelt wurde, die einen zuverlässigen und schnellen Speicherzugriff erfordern. Mit einer Taktfrequenz von 250 MHz und einer 8M x 16-Struktur bietet dieser flüchtige DRAM einen außergewöhnlichen Datendurchsatz in einem kompakten 66-TSOP-II-SMD-Gehäuse.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 250 MHz bei einer Zugriffszeit von 700 ps gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung für zeitkritische Anwendungen.
- Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 85 °C, ideal für Anwendungen in der Automobilindustrie, der industriellen Steuerungstechnik und in rauen Umgebungen.
- Optimierte Energieeffizienz: Die Versorgungsspannung von 2,3 V bis 2,7 V reduziert den Stromverbrauch bei gleichbleibender Leistung.
- Flexible Speicherarchitektur: Die parallele Schnittstellenkonfiguration mit 8M x 16 bietet vielseitige Integrationsmöglichkeiten.
- Platzsparendes Design: Das oberflächenmontierbare 66-TSSOP-Gehäuse (10,16 mm Breite) minimiert den Platzbedarf auf der Leiterplatte.
- RoHS-konform: Umweltfreundlich, erfüllt globale Regulierungsstandards.
Typische Anwendungen
Dieser DDR SDRAM eignet sich ideal für eingebettete Systeme, industrielle Automatisierungssteuerungen, Infotainmentsysteme für Automobile, Netzwerkgeräte, medizinische Geräte und IoT-Edge-Computing-Plattformen, bei denen zuverlässiger, flüchtiger Hochgeschwindigkeitsspeicher unerlässlich ist.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Etron Technology, Inc. |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Speichergröße | 128 Mbit |
| Speicherorganisation | 8 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 250 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 12ns |
| Zugriffszeit | 700 PS |
| Spannungsversorgung | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) |
| Gerätepaket des Lieferanten | 66-TSOP II |
| RoHS |
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