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Etron Technology, Inc.

EM6AA160TSE-4G

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EM6AA160TSE-4G - Hochleistungs-DDR-SDRAM-Speicher-IC

Der EM6AA160TSE-4G von Etron Technology ist ein leistungsstarker 256-Mbit-DDR-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Embedded-, Industrie- und Automobilanwendungen entwickelt wurde. Mit einer 16M x 16-Speicherorganisation und einer Taktfrequenz von 250 MHz bietet diese flüchtige Speicherlösung schnelle Zugriffszeiten (700 ps) und zuverlässige Leistung über einen weiten Betriebstemperaturbereich (0 °C bis 70 °C).

Der EM6AA160TSE-4G ist im kompakten 66-TSOP-II-SMD-Gehäuse mit Gurtverpackung erhältlich und eignet sich ideal für platzsparende Designs mit paralleler Speicherschnittstelle und Niederspannungsbetrieb (2,3 V ~ 2,7 V). Dieses RoHS-konforme Bauteil gewährleistet Umweltverträglichkeit und gleichzeitig höchste Zuverlässigkeit für unternehmenskritische Systeme.

Hauptmerkmale und Vorteile:

  • 256 Mbit DDR SDRAM – Ausreichende Speicherkapazität für komplexe Anwendungen
  • 250 MHz Taktfrequenz – Hoher Datendurchsatz für rechenintensive Aufgaben
  • 700 ps Zugriffszeit – Ultraschneller Speicherzugriff für reaktionsschnelle Systeme
  • Niederspannungsbetrieb – 2,3 V ~ 2,7 V Versorgungsspannung für Energieeffizienz
  • Breiter Temperaturbereich - 0 °C ~ 70 °C Betrieb für industrielle Umgebungen
  • Kompaktes 66-TSOP II-Gehäuse – Platzsparende Oberflächenmontage
  • RoHS-konform – umweltfreundlich und gesetzeskonform

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Die EM6AA160TSE-4G eignet sich perfekt für:

  • Eingebettete Systeme und Steuerungen
  • Industrielle Automatisierungsanlagen
  • Automobilelektronik und Infotainmentsysteme
  • IoT-Geräte und Edge-Computing-Plattformen
  • Netzwerk- und Telekommunikationsinfrastruktur
  • Medizinprodukte und Instrumente

Warum HQICKEY wählen?

Wir bei HQICKEY sind spezialisiert auf die Bereitstellung authentischer, hochwertiger Halbleiterkomponenten mit umfassender Produktlebenszyklusgarantie und weltweitem Vertrieb. Unser umfangreiches Produktportfolio im Bereich Speicher umfasst DRAM, SRAM, Flash-Speicher und spezialisierte Speicherlösungen für jeden Anwendungsbedarf.

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Etron Technology, Inc.
Produktserie
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR
Speichergröße 256 Mbit
Speicherorganisation 16 m x 16
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 250 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 700 PS
Spannungsversorgung 2,3 V ~ 2,7 V
Betriebstemperatur 0 °C ~ 70 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 66-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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