EM6AA160TSE-4G
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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EM6AA160TSE-4G - Hochleistungs-DDR-SDRAM-Speicher-IC
Der EM6AA160TSE-4G von Etron Technology ist ein leistungsstarker 256-Mbit-DDR-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Embedded-, Industrie- und Automobilanwendungen entwickelt wurde. Mit einer 16M x 16-Speicherorganisation und einer Taktfrequenz von 250 MHz bietet diese flüchtige Speicherlösung schnelle Zugriffszeiten (700 ps) und zuverlässige Leistung über einen weiten Betriebstemperaturbereich (0 °C bis 70 °C).
Der EM6AA160TSE-4G ist im kompakten 66-TSOP-II-SMD-Gehäuse mit Gurtverpackung erhältlich und eignet sich ideal für platzsparende Designs mit paralleler Speicherschnittstelle und Niederspannungsbetrieb (2,3 V ~ 2,7 V). Dieses RoHS-konforme Bauteil gewährleistet Umweltverträglichkeit und gleichzeitig höchste Zuverlässigkeit für unternehmenskritische Systeme.
Hauptmerkmale und Vorteile:
- 256 Mbit DDR SDRAM – Ausreichende Speicherkapazität für komplexe Anwendungen
- 250 MHz Taktfrequenz – Hoher Datendurchsatz für rechenintensive Aufgaben
- 700 ps Zugriffszeit – Ultraschneller Speicherzugriff für reaktionsschnelle Systeme
- Niederspannungsbetrieb – 2,3 V ~ 2,7 V Versorgungsspannung für Energieeffizienz
- Breiter Temperaturbereich - 0 °C ~ 70 °C Betrieb für industrielle Umgebungen
- Kompaktes 66-TSOP II-Gehäuse – Platzsparende Oberflächenmontage
- RoHS-konform – umweltfreundlich und gesetzeskonform
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Die EM6AA160TSE-4G eignet sich perfekt für:
- Eingebettete Systeme und Steuerungen
- Industrielle Automatisierungsanlagen
- Automobilelektronik und Infotainmentsysteme
- IoT-Geräte und Edge-Computing-Plattformen
- Netzwerk- und Telekommunikationsinfrastruktur
- Medizinprodukte und Instrumente
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Etron Technology, Inc. |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Speichergröße | 256 Mbit |
| Speicherorganisation | 16 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 250 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 700 PS |
| Spannungsversorgung | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Betriebstemperatur | 0 °C ~ 70 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) |
| Gerätepaket des Lieferanten | 66-TSOP II |
| RoHS |
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