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EM6GD08EWAHH-10H
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Produktübersicht
Der EM6GD08EWAHH-10H ist ein leistungsstarker 2-Gbit-DDR3-SDRAM-Speicher von Etron Technology, der speziell für anspruchsvolle Embedded-Systeme entwickelt wurde. Dieser industrietaugliche Speicherchip bietet zuverlässige Leistung mit einer Taktfrequenz von 933 MHz und einer schnellen Zugriffszeit von 20 ns und eignet sich daher ideal für die Bereiche Luft- und Raumfahrt, Automobilindustrie, industrielle Steuerungstechnik, Medizintechnik und Telekommunikation.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 933 MHz bei einer Zugriffszeit von 20 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
- Optimale Speicherkonfiguration: 2 Gbit Kapazität mit 256M x 8 Organisation bietet flexible Integrationsmöglichkeiten
- Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von 0 °C bis 95 °C für Anwendungen in rauen Umgebungen.
- Kompaktes Gehäuse: Die SMD-Bauform mit 78 VFBGA-Bauteilen (7,5 x 10,5 mm) spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte.
- Betrieb mit niedrigem Stromverbrauch: Eine Versorgungsspannung von 1,425 V bis 1,575 V optimiert die Energieeffizienz.
- RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Standards
Anwendungen
Dieser DDR3 SDRAM wurde für unternehmenskritische Anwendungen entwickelt, darunter eingebettete Steuerungen, industrielle Automatisierungssysteme, Netzwerkgeräte, Automobilelektronik, medizinische Geräte und Instrumente für die Luft- und Raumfahrt, bei denen Zuverlässigkeit und Leistung von größter Bedeutung sind.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Etron Technology, Inc. |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 933 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,425 V ~ 1,575 V |
| Betriebstemperatur | 0 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 78-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 78-FBGA (7,5x10,5) |
| RoHS |  |
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