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EM6GD08EWUF-10H
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Etron EM6GD08EWUF-10H - Hochleistungs-DDR3-SDRAM-Speicher-IC
Der EM6GD08EWUF-10H von Etron Technology ist ein hochzuverlässiger 2-Gbit-DDR3-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Anwendungen in Industrie, Automobil und eingebetteten Systemen entwickelt wurde. Diese fortschrittliche Speicherlösung bietet mit einer Taktfrequenz von 933 MHz und einer Speicherorganisation von 256M x 8 eine herausragende Leistung und eignet sich daher ideal für Anwendungen, die schnellen Datenzugriff und zuverlässigen Betrieb über einen weiten Temperaturbereich erfordern.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 933 MHz mit einer Schreibzykluszeit von 15 ns und einer Zugriffszeit von 20 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
- Optimierte Speicherarchitektur: 2 Gbit Kapazität mit 256M x 8 Organisation ermöglicht flexible Speicherkonfiguration
- Breiter Betriebstemperaturbereich: Funktioniert zuverlässig von 0 °C bis 95 °C (TC) und ist somit für industrielle Umgebungen geeignet.
- Industriestandard-Schnittstelle: Parallele Speicherschnittstelle mit DDR3-SDRAM-Technologie für breite Kompatibilität
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 78-TFBGA-Gehäuse (8 x 10,5 mm) optimiert die Platinenplatznutzung.
- RoHS-konform: Umweltfreundliches Design erfüllt internationale Standards
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Die EM6GD08EWUF-10H wurde für unternehmenskritische Anwendungen entwickelt, darunter:
- Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
- Automobilelektronik und Infotainmentsysteme
- Medizinische Geräte und Diagnosegeräte
- Telekommunikationsinfrastruktur
- Eingebettete Systeme für Luft- und Raumfahrt sowie Verteidigung
- Hochzuverlässige Rechenplattformen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Etron Technology, Inc. |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 933 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,425 V ~ 1,575 V |
| Betriebstemperatur | 0 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 78-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 78-FBGA (8x10,5) |
| RoHS |  |
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