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EM6GE08EW8D-10H
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Etron EM6GE08EW8D-10H - Hochleistungs-DDR3-SDRAM-Speicher-IC
Der EM6GE08EW8D-10H von Etron Technology ist ein hochzuverlässiger 4-Gbit-DDR3-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Anwendungen mit Bedarf an schnellen, flüchtigen Speicherlösungen entwickelt wurde. Mit einer Speicherorganisation von 512M x 8 und einer Taktfrequenz von 933 MHz bietet diese Komponente herausragende Leistung für Industrie-, Telekommunikations-, Automobil- und Luft- und Raumfahrtsysteme.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: 933 MHz Taktfrequenz mit 15 ns Schreibzykluszeit und 20 ns Zugriffszeit
- Optimale Speicherkonfiguration: 4 Gbit Kapazität in 512M x 8 Organisation für flexibles Systemdesign
- Breiter Betriebsbereich: Funktioniert zuverlässig von 0 °C bis 95 °C (TC)
- Industriestandard-Schnittstelle: Parallele Speicherschnittstelle für nahtlose Integration
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 78-VFBGA (9x10,5 mm) für platzsparende Leiterplattenlayouts
- RoHS-konform: Umweltfreundlich, erfüllt globale Regulierungsstandards.
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Dieser DDR3-SDRAM ist ideal für:
- Industrielle Steuerungssysteme und Automatisierungsanlagen
- Telekommunikationsinfrastruktur und Netzwerkgeräte
- Automobilelektronik und Infotainmentsysteme
- Medizinische Geräte, die eine Hochgeschwindigkeits-Datenverarbeitung erfordern
- Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt sowie im Verteidigungsbereich
- Hochleistungsfähige eingebettete Computerplattformen
Qualität & Konformität
Hergestellt von Etron Technology, Inc., einem führenden Anbieter von Speicherlösungen, erfüllt der EM6GE08EW8D-10H strenge Qualitätsstandards und ist RoHS-konform. Dies gewährleistet Umweltverträglichkeit und langfristige Zuverlässigkeit für Ihre kritischen Anwendungen.
Benötigen Sie technische Unterstützung oder Mengenrabatte? Kontaktieren Sie unser Team für Datenblätter, Unterstützung bei der Designintegration und maßgeschneiderte Lösungen, die auf Ihre Projektanforderungen zugeschnitten sind.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Etron Technology, Inc. |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Speichergröße | 4 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 512 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 933 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,425 V ~ 1,575 V |
| Betriebstemperatur | 0 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 78-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 78-FBGA (9x10,5) |
| RoHS |  |
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