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EM6GE08EW9G-10H
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Etron EM6GE08EW9G-10H - Hochleistungs-DDR3-SDRAM-Speicher-IC
Der EM6GE08EW9G-10H von Etron Technology ist ein hochzuverlässiger 4-Gbit-DDR3-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Telekommunikation und der Medizintechnik entwickelt wurde. Diese flüchtige Speicherlösung bietet herausragende Leistung mit einer Taktfrequenz von 933 MHz und einer Speicherorganisation von 512M x 8.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: 933 MHz Taktfrequenz mit 15 ns Schreibzykluszeit und 20 ns Zugriffszeit
- Optimale Kapazität: 4 Gbit Speichergröße in 512M x 8-Organisation für flexible Systemintegration
- Industrielle Zuverlässigkeit: Breiter Betriebstemperaturbereich (0 °C bis 95 °C TC) für raue Umgebungen
- Platzsparendes Design: Kompaktes 78-FBGA-Gehäuse (7,5 x 10,6 mm) für die Oberflächenmontage
- Normenkonform: RoHS-zertifiziert für Umweltkonformität
- Anforderungen an die stabile Stromversorgung: Versorgungsspannungsbereich 1,425 V bis 1,575 V
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Ideal für leistungsstarke eingebettete Systeme, industrielle Steuerungen, Netzwerkgeräte, medizinische Geräte und Automobilelektronik, die zuverlässigen, schnellen flüchtigen Speicher mit langer Lebensdauer benötigen.
Qualität & Konformität
Als autorisierter Distributor von Etron Technology-Komponenten bieten wir vollständige Rückverfolgbarkeitsdokumentation und umfassende Unterstützung über den gesamten Produktlebenszyklus. Diese Komponente erfüllt die RoHS-Umweltstandards und eignet sich für unternehmenskritische Anwendungen, die eine nachweisbare Lieferkettenintegrität erfordern.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Etron Technology, Inc. |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Speichergröße | 4 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 512 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 933 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,425 V ~ 1,575 V |
| Betriebstemperatur | 0 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 78-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 78-FBGA (7,5x10,6) |
| RoHS |  |
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