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EM6GE16EWAKG-10H
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Etron EM6GE16EWAKG-10H - Hochleistungs-DDR3-SDRAM-Speicher
Der EM6GE16EWAKG-10H von Etron Technology ist ein hochzuverlässiger 4-Gbit-DDR3-SDRAM-Speicher, der für anspruchsvolle Anwendungen mit schnellem Datenzugriff und erweitertem Temperaturbereich entwickelt wurde. Mit einer Taktfrequenz von 933 MHz und einer 256M x 16-Speicherstruktur bietet diese Speicherkomponente herausragende Leistung für Industrie-, Telekommunikations-, Automobil- und Embedded-Systeme.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Geschwindigkeit: 933 MHz Taktfrequenz mit 20 ns Zugriffszeit und 15 ns Schreibzykluszeit
- Große Kapazität: 4 Gbit Speichergröße in 256M x 16-Organisation
- Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von 0 °C bis 95 °C (TC)
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 96-TFBGA (7,5 x 13,5 mm) für platzsparende Designs
- RoHS-konform: Umweltfreundliche, bleifreie Konstruktion
- Parallele Schnittstelle: Standardmäßige DDR3-SDRAM-Schnittstelle für einfache Integration
- Praktische Verpackung: Erhältlich als Gurtverpackung für die automatisierte Montage.
Anwendungen
Ideal für Luft- und Raumfahrtsysteme, Automobilelektronik, industrielle Steuerungstechnik, Telekommunikationsinfrastruktur, medizinische Geräte und eingebettete Computerplattformen, die eine lange Lebensdauerunterstützung und bewährte Zuverlässigkeit erfordern.
Vollständige technische Spezifikationen
Alle Spezifikationen können ohne vorherige Ankündigung geändert werden. Bitte überprüfen Sie die aktuellen Spezifikationen beim Hersteller, bevor Sie Ihre Konstruktion abschließen.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Etron Technology, Inc. |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Speichergröße | 4 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 933 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,425 V ~ 1,575 V |
| Betriebstemperatur | 0 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 96-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 96-FBGA (7,5x13,5) |
| RoHS |  |
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