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EM6GE16EWXD-10H
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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EM6GE16EWXD-10H - Hochleistungs-DDR3-SDRAM-Speicher-IC
Der EM6GE16EWXD-10H von Etron Technology ist ein hochzuverlässiger 4-Gbit-DDR3-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Anwendungen in Industrie, Automobilbranche, Telekommunikation und eingebetteten Systemen entwickelt wurde. Mit einer Speicherorganisation von 256M x 16 und einer Taktfrequenz von 933 MHz bietet diese flüchtige Speicherlösung außergewöhnliche Leistung bei geringem Stromverbrauch.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: 933 MHz Taktfrequenz mit 15 ns Schreibzykluszeit und 20 ns Zugriffszeit
- Optimale Speicherdichte: 4 Gbit Kapazität in einem kompakten 96-FBGA (9x13) SMD-Gehäuse
- Breiter Betriebsbereich: Funktioniert zuverlässig von 0 °C bis 95 °C (TC) mit einer Versorgungsspannung von 1,425 V bis 1,575 V.
- Industriestandard-Schnittstelle: Parallele Speicherschnittstelle für nahtlose Integration
- RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Standards
- Gurt- und Rollenverpackung: Bereit für automatisierte Montageprozesse
Ideale Anwendungsbereiche
Dieser DDR3 SDRAM eignet sich perfekt für Luft- und Raumfahrtsysteme, Automobilelektronik, industrielle Steuerungstechnik, Telekommunikationsinfrastruktur, medizinische Geräte und alle Anwendungen, die eine lange Lebensdauer und bewährte Zuverlässigkeit erfordern.
Technische Spezifikationen
Warum Etron-Technologie wählen?
Als autorisierter Distributor von Etron Technology-Komponenten bieten wir Originalteile mit vollständiger Rückverfolgbarkeit, technischem Support und langfristiger Produktlebensdauergarantie. Jede Komponente unterliegt unserer Qualitätssicherung und unserem weltweiten Versand.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Etron Technology, Inc. |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Speichergröße | 4 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 933 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,425 V ~ 1,575 V |
| Betriebstemperatur | 0 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 96-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 96-FBGA (9x13) |
| RoHS |  |
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