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Etron Technology, Inc.

EM6HC16EWKG-10IH

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EM6HC16EWKG-10IH - Hochleistungs-DDR3-SDRAM-Speicher-IC

Der EM6HC16EWKG-10IH von Etron Technology ist ein hochzuverlässiger 1-Gbit-DDR3-SDRAM-Speicherchip, der für geschäftskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Diese fortschrittliche Speicherlösung bietet mit einer Taktfrequenz von 933 MHz und einer Speicherorganisation von 64M x 16 herausragende Leistung und eignet sich daher ideal für anspruchsvolle Embedded-Systeme und Anwendungen zur Hochgeschwindigkeits-Datenverarbeitung.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: 933 MHz Taktfrequenz mit 15 ns Schreibzykluszeit und 20 ns Zugriffszeit für schnelle Datenverarbeitung
  • Optimale Speicherkonfiguration: 1 Gbit Kapazität mit 64M x 16 Organisation bietet flexible Speicherarchitektur
  • Breiter Betriebsbereich: Der industrietaugliche Temperaturbereich von -40 °C bis 95 °C (TC) gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb auch unter rauen Umgebungsbedingungen.
  • Kompaktes SMD-Gehäuse: 96-TFBGA-Gehäuse (9 x 13 mm) optimiert die Platinenplatznutzung.
  • Industriestandard-DDR3-Technologie: Die SDRAM-DDR3-Schnittstelle gewährleistet Kompatibilität mit bestehenden Systemdesigns.
  • RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Regulierungsstandards.

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Der EM6HC16EWKG-10IH ist für Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsanforderungen konzipiert, darunter:

  • Systeme für Luft- und Raumfahrt sowie Verteidigung, die zertifizierte Komponenten benötigen
  • Fahrzeugelektronik und ADAS (Advanced Driver Assistance Systems)
  • Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
  • Medizinische Diagnose- und Bildgebungsgeräte
  • Telekommunikationsinfrastruktur und Netzwerkgeräte
  • Hochleistungsfähige eingebettete Computerplattformen

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Etron Technology, Inc.
Produktserie
Verpackung Schneideband (CT) | Band und Rolle (TR)
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR3
Speichergröße 1 Gbit/s
Speicherorganisation 64 m x 16
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 933 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 20 ns
Spannungsversorgung 1,283 V ~ 1,45 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 95 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 96-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 96-FBGA (9x13)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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