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EM6HD08EWUF-10H
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Etron EM6HD08EWUF-10H - Hochleistungs-DDR3L-SDRAM-Speicher-IC
Der EM6HD08EWUF-10H von Etron Technology ist ein hochzuverlässiger 2-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, industriellen Steuerungssystemen und eingebetteten Systemen entwickelt wurde. Dieser Speicherchip bietet außergewöhnliche Leistung mit einer Taktfrequenz von 933 MHz und einem niedrigen Betriebsspannungsbereich (1,283 V ~ 1,45 V) und eignet sich daher ideal für energieempfindliche Anwendungen.
Hauptmerkmale und Vorteile:
- Hochdichter Speicher: 2 Gbit Kapazität mit 256M x 8 Organisation bietet ausreichend Speicherplatz für komplexe Anwendungen.
- Hohe Leistungsfähigkeit: Die Taktfrequenz von 933 MHz bei einer Zugriffszeit von 20 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
- Geringer Stromverbrauch: Die DDR3L-Technologie arbeitet mit 1,283 V ~ 1,45 V und reduziert so den Energieverbrauch.
- Breiter Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von 0 °C bis 95 °C (TC) für industrielle Umgebungen
- Kompaktes Gehäuse: Das oberflächenmontierbare 78-TFBGA-Gehäuse (8 x 10,5 mm) spart Platz auf der Platine.
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und entspricht internationalen Standards.
Anwendungsbereiche:
Ideal für eingebettete Systeme, industrielle Steuerungen, Automobilelektronik, Telekommunikationsgeräte, medizinische Geräte und hochzuverlässige Computerplattformen, bei denen Leistung und Langlebigkeit entscheidend sind.
Technische Spezifikationen:
Verwandte Ressourcen:
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Etron Technology, Inc. |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 933 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Betriebstemperatur | 0 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 78-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 78-FBGA (8x10,5) |
| RoHS |  |
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