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Etron Technology, Inc.

EM6HD08EWUF-10IH

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Etron EM6HD08EWUF-10IH - Hochleistungs-DDR3L-SDRAM-Speicher-IC

Der EM6HD08EWUF-10IH von Etron Technology ist ein hochzuverlässiger 2-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicherbaustein, der für anspruchsvolle Anwendungen in Industrie, Automobilbranche und Telekommunikation entwickelt wurde. Dieser SMD-Speicher-IC verfügt über eine 256M x 8-Struktur mit einer Taktfrequenz von 933 MHz und bietet herausragende Leistung in einem kompakten 78-FBGA-Gehäuse.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: 933 MHz Taktfrequenz mit 15 ns Schreibzykluszeit und 20 ns Zugriffszeit
  • Geringer Stromverbrauch: DDR3L-Technologie mit einer Versorgungsspannung von 1,283 V bis 1,45 V für energieeffizienten Betrieb
  • Erweiterter Temperaturbereich: Industrieller Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 95 °C (TC) für raue Umgebungen
  • Flexible Verpackungen: Erhältlich als geschnittenes Band (CT) und als Gurt und Rolle (TR) für die automatisierte Montage
  • Kompakte Bauform: 78-VFBGA-Gehäuse (8 x 10,5 mm), optimiert für platzsparende Designs
  • RoHS-konform: Umweltfreundlich, entspricht internationalen Standards

Ideale Anwendungsbereiche

Dieser Speicher-IC eignet sich perfekt für Luft- und Raumfahrtsysteme, Automobilelektronik, industrielle Steuerungssysteme, Telekommunikationsinfrastruktur und medizinische Geräte, die eine lange Lebensdauer und garantierte Rückverfolgbarkeit erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen

Warum Sie sich für unseren autorisierten Vertriebspartner entscheiden sollten

Als autorisierter Distributor bieten wir vollständige Rückverfolgbarkeitsdokumentation, Unterstützung im gesamten Produktlebenszyklus sowie technische Ressourcen für die Integration in Ihr System. Unser globales Versandnetzwerk gewährleistet eine zuverlässige Lieferung und fachgerechte Behandlung empfindlicher Halbleiterbauteile.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Etron Technology, Inc.
Produktserie
Verpackung Schneideband (CT) | Band und Rolle (TR)
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR3L
Speichergröße 2 Gbit/s
Speicherorganisation 256 m x 8
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 933 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 20 ns
Spannungsversorgung 1,283 V ~ 1,45 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 95 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 78-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 78-FBGA (8x10,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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