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EM6HE08EW3F-12H
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Etron EM6HE08EW3F-12H - Hochleistungs-DDR3L-SDRAM-Speicher-IC
Der EM6HE08EW3F-12H von Etron Technology ist ein hochzuverlässiger 4-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Industrie- und Embedded-Anwendungen entwickelt wurde. Mit einer Speicherorganisation von 512M x 8 und einer Taktfrequenz von 800 MHz bietet dieser SMD-Speicherchip herausragende Leistung bei geringem Stromverbrauch (Versorgungsspannung 1,283 V ~ 1,45 V).
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Kapazität: 4 Gbit Speicherdichte in einem kompakten 78-FBGA-Gehäuse
- Hohe Leistungsfähigkeit: 800 MHz Taktfrequenz mit 20 ns Zugriffszeit
- Geringer Stromverbrauch: Die DDR3L-Technologie reduziert den Stromverbrauch und sorgt so für energieeffiziente Designs.
- Breiter Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von 0 °C bis 95 °C (TC)
- RoHS-konform: Umweltfreundliche, bleifreie Konstruktion
- Industriequalität: Entwickelt für langfristige Zuverlässigkeit in kritischen Anwendungen
Anwendungen
Ideal für Automobilelektronik, industrielle Steuerungssysteme, Telekommunikationsgeräte, medizinische Geräte, Netzwerk-Hardware und eingebettete Computerplattformen, die einen schnellen, zuverlässigen flüchtigen Speicher benötigen.
Vollständige technische Spezifikationen
Warum Etron Technology? Als autorisierter Distributor bieten wir Ihnen Original-Halbleiterkomponenten von Etron mit vollständiger Rückverfolgbarkeit, technischem Support und wettbewerbsfähigen Preisen. Alle Produkte verfügen über Herstellergarantie und stammen aus autorisierten Vertriebskanälen.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Etron Technology, Inc. |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | 4 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 512 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 800 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Betriebstemperatur | 0 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 78-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 78-FBGA (9x10,6) |
| RoHS |  |
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