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Etron Technology, Inc.

EM6HE08EW8D-10H

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Produktübersicht

Der EM6HE08EW8D-10H von Etron Technology ist ein leistungsstarker 4-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicher, der speziell für industrielle Anwendungen und Embedded-Systeme entwickelt wurde, die zuverlässigen, energiesparenden flüchtigen Speicher benötigen. Dieser 512M x 8-Speicherchip arbeitet mit 933 MHz und einer Nennversorgungsspannung von 1,35 V. Er bietet hervorragende Leistung in einem kompakten 78-FBGA-SMD-Gehäuse.

Hauptmerkmale

  • Hohe Kapazität: 4 Gbit Speicherdichte in einer 512M x 8 Konfiguration
  • Hohe Leistungsfähigkeit: 933 MHz Taktfrequenz mit 20 ns Zugriffszeit
  • Niedriger Stromverbrauch: DDR3L-Technologie mit einem Versorgungsspannungsbereich von 1,283 V bis 1,45 V
  • Breiter Temperaturbereich: 0 °C bis 95 °C (TC) Betriebstemperatur
  • Kompaktes Gehäuse: 78-VFBGA (9 x 10,5 mm) SMD-Bauform
  • RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung

Anwendungen

Ideal für Automobilelektronik, industrielle Steuerungssysteme, Telekommunikationsgeräte, medizinische Geräte und eingebettete Computerplattformen, die eine schnelle und zuverlässige Speicherleistung erfordern.

Technische Spezifikationen

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Etron Technology, Inc.
Produktserie
Verpackung Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR)
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR3L
Speichergröße 4 Gbit/s
Speicherorganisation 512 m x 8
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 933 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 20 ns
Spannungsversorgung 1,283 V ~ 1,45 V
Betriebstemperatur 0 °C ~ 95 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 78-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 78-FBGA (9x10,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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